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稍微關心點國際形勢的朋友肯定知道 ， 近兩年 ， 在光刻機方面 ， 我們一直在被卡脖子 ， 雖然經過華為等多家公司的努力 ， 我們已經實現了從90納米到28納米！在軍工方面沒有問題了 ， 但是在日常用品方面還是跟國際上的先進水平有一定差距 。
不過好消息是我們的光刻機90%的零件都可以自產 ， 并且在2024年12月國產光刻機正式出口 。 而哈工大傳來的消息 ， 在光刻機的研發上又傳來了突破性的消息 。
在黑龍江省高校與科研院所職工科技創新成果轉化大賽中 ， 航天學院趙永蓬教授的“放電等離子體極紫外光刻光源”項目榮獲一等獎 。 這一成果不僅展示了哈工大在光刻機領域的深厚底蘊 ， 更為我國EUV光刻機的研發提供了新的思路和方法 。
在當今芯片制造已成為衡量一個國家科技實力的重要標志 。 而光刻機 ， 作為芯片制造的核心設備 ， 其性能直接決定了芯片制程的先進程度 。 可是由于技術被卡脖子 ， 光刻機的制造技術難度極高 ， 尤其是EUV（極紫外）光刻機 ， 更是成為了全球科技競爭的焦點 。
這里普及一下 ， 光刻機 ， 是芯片制造過程中不可或缺的一環 。 它通過將電路圖案精確地轉移到硅片上 ， 實現了芯片的批量生產 。 光刻機有EUV與DUV之分 ， 其中EUV光刻機以其更高的分辨率和更低的制造成本 ， 成為了先進芯片制造的首選 。 然而 ， EUV光刻機的制造技術卻異常復雜 ， 涉及光學、機械、電子、材料等多個領域 ， 是我國科技領域的一大短板 。
如果實現突破 ， 那更小納米級的芯片的生產能力就會激活 ， 同類芯片的價格就能降下來 ， 然后手機、電腦、電子產品都會便宜 。 這就是哈工大這個研發的意義所在 ，
據趙永蓬教授介紹 ， “放電等離子體極紫外光刻光源”項目通過放電等離子體技術 ， 成功地產生了中心波長為13.5納米的極紫外光 。 這種光源具有極高的亮度和穩定性 ， 能夠滿足極紫外光刻市場對光源的迫切需求 。
當然光源問題只是研發光刻機其中之一 。 它的出現 ， 能夠部分解決了EUV光刻機制造中的光源問題 。 但是在能量問題、光線引導等問題方面 ， 還需要進一步的研究 。
【哈工大再傳喜報！成功研發13.5納米極紫外光源，光刻機突破在即】此外 ， 我們還應該看到 ， 哈工大的這一成果并不是孤立的 。 正因為在光刻機上的差距 ， 我國眾多的科研院所和高校在光刻機領域都取得了許多重要的突破 。 這些成果的出現 ， 不僅有了能夠實現超越的基礎 ， 更可能誕生多種超越的可能性 。 這就跟同一天出現三架六代機一樣 ， 不同的思路 ， 雖然殊途同歸 ， 但是性能會有差距 ， 也會有更多的選擇和可能 。
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