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哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了

哈工大芯片光刻機

哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了

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哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了

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哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了

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哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了

近幾年 ， 我國在半導體產業上發展迅猛 ， 各項核心技術實現突破 。 以中芯國際為例 ， 在CEO梁孟松的帶領下 ， 中芯國際已經實現28nm芯片的量產 ， 并實現了7nm芯片技術的突破 。
而在芯片封裝技術 ， 長電科技也實現了4nm芯片封裝 。 與此同時 ， 概倫電子也在芯片設計上實現3nm工藝節點的突破……
不可否認 ， 這幾年我們在芯片技術的突破有目共睹 ， 但我們能夠生產的芯片僅有14nm水準 ， 離7nm芯片還有不小的距離 。

據悉 ， 國內能自主生產的先進工藝是14nm水準 ， 比如中芯國際此前生產麒麟710a芯片就是14nm芯片 。
為什么會出現這種情況呢？歸根結底 ， 還是國缺少生產芯片的關鍵設備光刻機 。 截止目前為止 ， 我國從ASML采購了大量DUV光刻機 ， 但EUV光刻機 ， ASML并沒有向我國提供 。
而EUV光刻機是生產7nm芯片的關鍵設備 ， 一旦我們擁有這種光刻機 ， 那么我國實現7nm芯片生產的進程將會加快 。

哈工大7nm光刻機技術實現突破
早在18年的時候 ， 中芯國際就從ASML采購了一臺EUV光刻機 。 由于老美從中作梗 ， 這臺EUV光刻機沒有正式發貨 。
為了早日實現國產7nmEUV光刻機的自主化 ， 國內半導體公司和相關團隊在光刻機技術上深入研究 ， 實現了光刻機技術的多項突破 。

最引人矚目的當屬哈工大團隊研發的‘高速超精密激光干涉儀’ ， 這款激光干涉儀用于28nm—350nm工藝光刻機集成研制和性能測試 ， 對28nm光刻機的研制提供了技術支撐 ， 并對7nmEUV光刻機提供技術儲備 。
這個消息傳來后 ， 整個網絡都沸騰了 ， 很多人都高呼：我們實現了7nm光刻機技術都突破 ， 國產7nmEUV光刻機將會研制成功 。
1個多月過去了 ， 我們并沒有看到國產7nm光刻機的相關信息 ， 似乎哈工大的7nm技術突破只是一個噱頭 ， 這種現象讓人感到奇怪 。

為什么會出現這種現象？
難道哈工大7nm光刻機技術只是一個噱頭 ， 準確的講并不是 。 哈工大團隊是這樣形容高速超精密激光干涉儀：能為28nm—350nm光刻機提供技術支撐 ， 為7nm光刻機提供技術儲備 。
什么叫技術支撐呢？那就是我國研制28nm光刻機的時候 ， 高速超精密激光干涉儀能為這種光刻機提供集成和測試的技術支撐 ， 僅此而已 。 但一款28nm光刻機的研制涉及的技術多達幾千、甚至上萬個 ， 靠1、2項技術支撐并不能解決問題 ， 因此高速超精密激光干涉儀的出現并不能表明我們有實力研發28nm光刻機 。
實際情況是我國能夠生產的光刻機水準是90nm ， 離28nm光刻機還有不小的差距 。

什么叫技術儲備呢？和技術支撐相比 ， 技術儲備就顯得有些‘不給力’了 。 所謂技術儲備是這種技術還不能馬上看到效果 ， 而是這種技術能為更高端技術做鋪墊 ， 在這個基礎上實現技術突破 。
所以哈工大團隊研發的高速超精密激光干涉儀能為28nm光刻機提供技術支撐 ， 卻只能為7nm光刻機做技術儲備 ， 這就容易理解了 。

7nmEUV光刻機有多難？
很多人認為靠我們自己就可以實現7nmEUV光刻機的研制成功 ， 其實這是一種不切實際的想法 。
客觀的講 ， 這個世界沒有單獨一個國家可以實現7nmEUV光刻機的研制成功 ， 我國做不到 ， 老美也是如此 。 光刻機被譽為‘半導體工業皇冠的明珠’ ， 這不是說著玩的 。
據悉 ， 荷蘭ASML生產一臺EUV光刻機 ， 這需要全球6000多家科技公司提供10萬個器件 ， 這些公司包括蔡司、德州儀器、尼康等 ， 并且這里面的任何一家公司提供了器件工藝都達到業內頂尖水準 。
由此可見 ， 想要研制一款7nmEUV光刻機的難度非常之大 ， 這需求全球科技公司通力合作才能完成 。

寫在最后近幾年 ， 我國的半導體公司受到老美等國家的打壓 ， 包括華為、中芯國際在內的半導體公司的業務都受到較大的影響 。
面對這個局面 ， 國內很多網友都希望國產光刻機能夠早日實現自主生產 ， 并希望我們可以研制成功7nmEUV光刻機 。
這些網友的想法是好的 ， 但所有的盼望都建立在實事求是的基礎上 ， 因此我們不能因為1、2項技術的突破就沾沾自喜 ， 認為我們就可以研制成功7nmEUV光刻機 。
【哈工大7nm光刻機技術實現突破后，一個奇怪的現象出現了】國產光刻機之路任重道遠 ， 我們不能看不清現實 ， 要腳踏實地的發展 。

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