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在接連受到美國(guó)打壓中國(guó)芯片領(lǐng)域的環(huán)境背景下，中國(guó)芯片業(yè)爆出一個(gè)振奮人心的消息——利揚(yáng)芯片測(cè)試公司成功完成全球第一顆3nm芯片的測(cè)試。

中國(guó)芯片界傳出好消息！全球第一顆3nm芯片的測(cè)試開發(fā)已成功！

這個(gè)消息對(duì)于持續(xù)低迷的中國(guó)芯片業(yè)來說無疑是一枚強(qiáng)心劑，讓國(guó)人乃至世界都看到了中國(guó)沖擊高端芯片的能力。
本文將以利揚(yáng)為切入點(diǎn) ，向大家講述一下中國(guó)芯片業(yè)最近幾年發(fā)展的種種歷程。
一、世界芯片發(fā)展現(xiàn)狀：在科技迅猛發(fā)展的今天，物聯(lián)網(wǎng)、AI技術(shù)等高新科技的應(yīng)用得到了極大化的發(fā)展，龐大的市場(chǎng)需求催生了芯片的二次發(fā)展，毫不夸張的說當(dāng)今世界已經(jīng)變成了一個(gè)“得芯者得天下”的時(shí)代。
美國(guó)在芯片領(lǐng)域一直實(shí)力強(qiáng)悍，以英特爾、高通及英偉達(dá)為代表的世界大廠多年在芯片領(lǐng)域創(chuàng)造出許多受人矚目的成果，世界的發(fā)展離不開這些大廠芯片技術(shù)的不斷提升。

反之中國(guó)在芯片領(lǐng)域起步較晚，技術(shù)力量薄弱，長(zhǎng)期依賴進(jìn)口滿足國(guó)內(nèi)現(xiàn)代化發(fā)展。
二、中國(guó)芯片發(fā)展歷史幾年前為了中國(guó)的可持續(xù)高速發(fā)展，我們把目標(biāo)鎖定在了自主研發(fā)芯片領(lǐng)域上，當(dāng)時(shí)以中芯國(guó)際為代表的優(yōu)秀企業(yè)通過國(guó)家大力扶持，幾年間取得了許多令人可喜的成果。
28nm成熟工藝制程甚至超越了美國(guó)大廠，在世界芯片格局中站穩(wěn)腳跟。但隨著中國(guó)14nm工藝實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn) ，開始沖擊7nm以下的高端領(lǐng)域時(shí) ，引起了以美國(guó)為首的西方國(guó)家強(qiáng)烈抵制。

抵制的理由很簡(jiǎn)單，中國(guó)的科技強(qiáng)大會(huì)威脅到美國(guó)的科技霸主地位、會(huì)削弱西方很多國(guó)家的芯片競(jìng)爭(zhēng)力，間接影響國(guó)際市場(chǎng)利潤(rùn) 。
因此隨著幾年前的華為5G事件發(fā)生后，美國(guó)不斷單方面升級(jí)貿(mào)易制裁和長(zhǎng)臂管轄，目的就是對(duì)中國(guó)高端芯片領(lǐng)域全方位堵截，利用摩爾法則快術(shù)加大中國(guó)與其的技術(shù)差距。
可是以美國(guó)為首的西方諸國(guó)忽略了一個(gè)客觀事實(shí) ，中國(guó)的芯片基礎(chǔ)早已搭建完畢，國(guó)內(nèi)配套設(shè)施健全，科研隊(duì)伍穩(wěn)定，資金充裕。

即使目前仍受美國(guó)長(zhǎng)臂管轄政策影響，無法短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)7nm技術(shù)突破，但發(fā)展之勢(shì)已成，目前中國(guó)芯片需要的只是時(shí)間而已。
三、中國(guó)高端芯片突圍在即近日廣東利揚(yáng)被報(bào)出成功完成韓國(guó)三星公司的3nm芯片測(cè)試工作。這是繼美日荷三方協(xié)議發(fā)酵以來第一次在芯片領(lǐng)域的直面回?fù)?nbsp;，也是中國(guó)高端芯片突圍在即的一個(gè)重要信號(hào) 。
在利揚(yáng)事件中，不僅證明了中國(guó)具備沖頂高端芯片的技術(shù)實(shí)力，還證明了在國(guó)際化市場(chǎng)的環(huán)境下，中國(guó)有資源有人脈發(fā)展屬于自己的芯片之路。

其實(shí)利揚(yáng)3nm事件的發(fā)生看似偶然，實(shí)則是一個(gè)必然的結(jié)果。
偶然之處在于，很多人對(duì)于三星選擇將3nm測(cè)試工作交付于中國(guó)利揚(yáng)來完成，似乎有點(diǎn)難以理解，畢竟在芯片測(cè)試方面美國(guó)的實(shí)力更加強(qiáng)悍。