驍龍835快充搭載了更高規(guī)格的快充技術(shù)，兼容TypeC接口，較上一代快百分之二十 。驍龍835采用先進(jìn)的10納米工藝，尺寸減小百分之三十五，功耗相比21降低了百分之二十五 。驍龍835核心數(shù)有上一代的四核升級為八核 ， 主頻更高，內(nèi)置的GPU更強(qiáng) 。驍龍835相比821支持更高規(guī)格的基帶和藍(lán)牙5、0，對雙攝像頭支持更好，支持4K屏、8GB大內(nèi)存 。
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