IGBT是絕緣柵雙極型晶體管 。是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn) 。
【什么是igbt】靜態(tài)特性：ＩＧＢＴ 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性 。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以柵源電壓Ｕｇｓ 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線 。輸出漏極電流比受柵源電壓Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高，Ｉｄ 越大 。它與ＧＴＲ 的輸出特性相似 。也可分為飽和區(qū)１ 、放大區(qū)２ 和擊穿特性３ 部分 。在截止?fàn)顟B(tài)下的ＩＧＢＴ，正向電壓由Ｊ２ 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由Ｊ１結(jié)承擔(dān) 。如果無Ｎ＋緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入Ｎ＋緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些應(yīng)用范圍 。
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