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【國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)能造8nm的芯片？并不能，套刻8nm不代表能生產(chǎn)8nm芯片】

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前沿導(dǎo)讀在國(guó)家平臺(tái)發(fā)布了氟化氬光刻機(jī)的信息之后，媒體平臺(tái)上面看到這款光刻機(jī)套刻技術(shù)可以小于等于8nm ，就大肆宣傳國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)可以通過(guò)疊加工藝制造8nm芯片，這是一個(gè)非常錯(cuò)誤的說(shuō)法，而且跟實(shí)際的情況相差非常大。
氟化氪和氟化氬在國(guó)家平臺(tái)公布的信息當(dāng)中，有兩款光刻機(jī)設(shè)備：氟化氪光刻機(jī)和氟化氬光刻機(jī) 。
氟化氪光刻機(jī)：

晶圓直徑：300mm
照明波長(zhǎng)：248nm
分辨率≤110nm
套刻≤25nm

氟化氬光刻機(jī)：

晶圓直徑：300mm
照明波長(zhǎng)：193nm
分辨率≤65nm
套刻≤8nm

這兩款光刻機(jī)在光源部分有著很大差別，氟化氪的分子是KrF ，氟化氬的分子是ArF ，兩種分子的照明波長(zhǎng)不同，現(xiàn)在DUV光刻機(jī)采用的都是氟化氬ArF的193nm波長(zhǎng) 。
包括后來(lái)制造工藝更先進(jìn)的浸潤(rùn)式光刻機(jī) ，也都是在以上這種干式光刻機(jī)的基礎(chǔ)上，通過(guò)在其中加入介質(zhì) ，將波長(zhǎng)縮短，才可以繼續(xù)進(jìn)行水平更高的芯片制造。

而EUV光刻機(jī)所使用的極紫外線光源，直接照射的波長(zhǎng)是13.5nm 。對(duì)比DUV光刻機(jī)的193nm ，完全不在一個(gè)技術(shù)層面，甚至可以說(shuō)是上一個(gè)時(shí)代的技術(shù)產(chǎn)物。
技術(shù)工藝現(xiàn)階段，芯片工藝的提升，帶來(lái)的直接效果就是提升芯片內(nèi)部晶體管的堆疊密度。晶體管的體積越小，堆疊數(shù)量也就越多，芯片整體的性能也就越來(lái)越強(qiáng) 。
晶體管內(nèi)部有源極、漏極、柵極三種因素，一般所說(shuō)的幾nm芯片，指的就是晶體管內(nèi)部柵極的長(zhǎng)度。

拿7nm工藝制造的芯片舉例， 7nm芯片內(nèi)部的鰭片與鰭片之間的距離在30nm ，如果要將制造工藝下探到5nm、3nm ，需要繼續(xù)縮短鰭片之間的距離。在這種情況下，如果光刻機(jī)的分辨率達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn) ，是無(wú)法進(jìn)行制造的。
以ASML的NXT 1980Di進(jìn)行舉例，這款設(shè)備的分辨率是38nm 。雖然38nm＞30nm ，無(wú)法直接制造7nm芯片，但是可以通過(guò)多曝光的技術(shù) ，實(shí)現(xiàn)30nm的晶圓圖形。

我國(guó)現(xiàn)在公布的氟化氬光刻機(jī) ，分辨率為65nm ，與38nm的差距較大，無(wú)法參與7nm等工藝芯片的制造，更不要說(shuō)去通過(guò)多曝光的技術(shù)來(lái)提升工藝了。
而套刻這個(gè)概念，指的是上下兩層晶體管之間的對(duì)準(zhǔn)精度。如果精度有偏差，那么套刻之后的偏差會(huì)越來(lái)越大。

進(jìn)行多曝光技術(shù)的前提，就是需要套刻精度要足夠的精密。 ASML的NXT 1980Di ，這款光刻機(jī)的套刻精度在2.5nm ，這個(gè)水平的對(duì)準(zhǔn)精度是可以通過(guò)多曝光制造7nm芯片的。
再回到我們的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)上面來(lái) ，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的套刻精度是最大是8nm ，可以進(jìn)行55nm芯片的制造。如果在8nm套刻精度的基礎(chǔ)上進(jìn)行多曝光技術(shù) ，那么我們這臺(tái)光刻機(jī)的極限只能滿足40nm芯片的制造。
想要打破技術(shù)瓶頸，就需要用到林本堅(jiān)開(kāi)創(chuàng)的浸潤(rùn)式技術(shù) ，將193nm的波長(zhǎng)繼續(xù)縮短，才可以進(jìn)行更高水平的芯片制造。浸潤(rùn)式技術(shù)的下一個(gè)技術(shù)時(shí)代，就是我們現(xiàn)在所說(shuō)的極紫外線EUV工藝。

目前來(lái)說(shuō) ，我們的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)還停留在干式光刻機(jī)的技術(shù)層面，比干式光刻機(jī)更先進(jìn)的是浸潤(rùn)式，然后就是極紫外線。
雖然距離國(guó)外設(shè)備的差距相當(dāng)大，但是對(duì)于我國(guó)的光刻機(jī)事業(yè)來(lái)說(shuō) ，這個(gè)設(shè)備已經(jīng)相當(dāng)不錯(cuò)了。尤其是跟我國(guó)之前的光刻設(shè)備相比，這次的氟化氬光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)大跨越。