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按照光刻機的類型 ， 生產(chǎn)65nm芯片的光刻機叫做干式DUV光刻機 ， 也稱之為ArF光刻機 。
生產(chǎn)45-7nm的光刻機 ， 叫做浸潤式DUV光刻機 ， 也稱之為ArFi光刻機 。
這兩者光源一樣 ， 都是采用193nm波長光源 ， 工作臺一樣 ， 物鏡系統(tǒng)也一樣 ， 唯一不同之處是干式DUV光刻機 ， 以空氣為介質(zhì) 。 而浸潤式光刻機 ， 在晶圓前加了一層水為介質(zhì) ， 193nm波長的光線 ， 進入水后折射 ， 等效于134nm波長光線 。
因為光線的波長小 ， 分辨率就高了 ， 所以浸潤式光刻機 ， 可以用于最小7nm工藝的芯片 ， 這是干式DUV辦不到的 。
目前國內(nèi)的技術(shù) ， 還處于干式DUV光刻機的水平 ， 具體表現(xiàn)如何 ， 應該不用我介紹了 ， 前段時間 ， 網(wǎng)上不是大談特談這款氟化氬光刻機么 ， 分辨率小于等于65nm ， 套刻精度小于等于8nm 。
其實它就是一臺干式DUV光刻機 ， 所以能生產(chǎn)多少納米的芯片 ， 我也不多說了 ， 懂的都懂 。
基于此 ， 很多人表示 ， 接下來我們的目標是研發(fā)浸潤式DUV光刻機出來 ， 畢竟路是一步一步走的 ， 但我卻認為 ， 我們接下來的真正目標 ， 不是研發(fā)浸潤式DUV光刻機 ， 而是跨過它 ， 直接研發(fā)EUV光刻機 。
估計很多人會罵我了 ， 那就是走路都走不穩(wěn) ， 就想開始跑了 。 但實際上 ， 還真不是這樣的 ， 這個理論不用套在光刻機上 。
EUV光刻機和浸潤式DUV光刻機 ， 并沒有先后邏輯關(guān)系 ， 也不是替進式的 ， 一代一代發(fā)展這么來說的 。
DUV光刻機 ， 和EUV光刻機 ， 真正最大的不同之處是 ， 一個是采用EUV光源 ， 也就是波長是13.5nm的光線 ， 一個是采用193nm波長的光線 。
浸潤式是在晶圓前加了一層水來折射193nm波長的光線 ， EUV是直接采用13.5nm的光線 。
其它的工作臺 ， 物鏡系統(tǒng)等 ， 其實原理等 ， 都是差不太多的 ， 只是分辨率更高了 ， 精度也更高了 ， 僅此而已 。
并不是說沒研發(fā)出浸潤式DUV ， 就研發(fā)不出EUV的 ， 完全可以直接跨進EUV光刻機的 ， 只要解決掉了EUV光線的產(chǎn)生、收集即可 ， 這一塊是重點、難點 。
【跳過浸潤式DUV，我們的目標，是直接研發(fā)EUV光刻機】因為ASML將這一塊的上下游供應鏈都整合了 ， 中國想要研發(fā)出EUV ， 必須找到替代ASML供應鏈的方案 ， 這個非常難 。
另外 ， 目前國內(nèi)擁有的浸潤式DUV光刻機 ， 其實是非常多的了 ， 從2021年開始 ， 根據(jù)ASML的財報數(shù)據(jù) ， 我們買到的浸潤式DUV光刻機 ， 就超過了150臺 。
150臺有多大的產(chǎn)能 ， 其實是相當于幾十個中芯國際的總產(chǎn)能了 ， 所以浸潤式DUV光刻機是足夠用的 ， 且目前ASML也沒有完全卡死 ， 我們能夠買的 。
在這樣的情況之下 ， 研發(fā)EUV光刻機才是關(guān)鍵 ， 研發(fā)不研發(fā)浸潤式DUV ， 相對而言其實并不那么重要了 ， 你覺得呢？
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