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芯片產(chǎn)業(yè)有望開(kāi)啟新一輪繁榮周期，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備如何乘風(fēng)而起？

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芯片產(chǎn)業(yè)有望開(kāi)啟新一輪繁榮周期，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備如何乘風(fēng)而起？

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2024年 ， 隨著電動(dòng)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛和人工智能等新興技術(shù)的快速發(fā)展 ， 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求開(kāi)始爆發(fā) ， 正式開(kāi)啟了新一輪增長(zhǎng)周期 。
2024年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%預(yù)計(jì)2024年 ， 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收增長(zhǎng)16% ， 至6112億美元 。 其中 ， 邏輯和存儲(chǔ)芯片將在2024年迎來(lái)強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) ， 為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)注入強(qiáng)勁動(dòng)能 。 具體來(lái)看 ， 邏輯芯片增長(zhǎng)10.7% ， 存儲(chǔ)芯片增長(zhǎng)76.8% 。 預(yù)計(jì)2025年 ， 全球半導(dǎo)體將繼續(xù)增長(zhǎng)12.5% ， 至6874億美元 。
為了跟隨終端需求的增長(zhǎng) ， 2024年和2025年全球晶圓廠產(chǎn)能也會(huì)迎來(lái)增長(zhǎng) 。 預(yù)計(jì)在2024年將同比增長(zhǎng)6% ， 在2025年實(shí)現(xiàn)7%的增長(zhǎng) ， 達(dá)到每月晶圓產(chǎn)能3370萬(wàn)片 。
目前 ， 晶圓制造產(chǎn)能正在向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移 ， 截至2020年 ， 大陸晶圓制造產(chǎn)能已經(jīng)占全球的17% 。 未來(lái)幾年 ， 在全球300mm晶圓廠產(chǎn)能占比中 ， 大陸晶圓廠的占比將持續(xù)攀升 ， 給國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)巨大的增長(zhǎng)機(jī)遇 。

半導(dǎo)體的新一輪高速增長(zhǎng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的新一輪快速成長(zhǎng) ， 離不開(kāi)下游新增需求的拉動(dòng) 。 尤其是AI浪潮下全球正在加快的數(shù)據(jù)中心建設(shè) ， 以及持續(xù)攀升中的新能源汽車(chē)全球市場(chǎng)滲透率 。
這些半導(dǎo)體購(gòu)銷(xiāo)大戶(hù)正在以幾乎不可見(jiàn)底的龐大需求 ， 催化著整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)生著新一輪的蝶變 ， 讓其無(wú)論是在市場(chǎng)規(guī)模 ， 或是在成長(zhǎng)空間方面 ， 都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越上一輪智能手機(jī)需求所帶來(lái)的沖擊 。
其中 ， AI浪潮在2024年是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的當(dāng)之無(wú)愧的主動(dòng)力 ， 讓半導(dǎo)體多條賽道充分受益 。 隨著下一步AI將廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、金融、制造等多個(gè)領(lǐng)域 ， 相信未來(lái)十年 ， 這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)定制化AI芯片的需求將不斷增加 。
量檢測(cè)設(shè)備是芯片良率的關(guān)鍵保障根據(jù)不同工序 ， 半導(dǎo)體檢測(cè)分為前道量檢測(cè)、后道檢測(cè)及實(shí)驗(yàn)室檢測(cè) ， 其中 ， 前道量檢測(cè)主要應(yīng)用于晶圓加工環(huán)節(jié) ， 目前以廠內(nèi)產(chǎn)線在線監(jiān)控為主；后道檢測(cè)主要應(yīng)用于晶圓加工后的芯片電性測(cè)試及功能性測(cè)試 ， 目前主要分為第三方測(cè)試和廠內(nèi)產(chǎn)線在線監(jiān)控；實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)主要針對(duì)失效樣品進(jìn)行缺陷定位和故障分析 ， 目前主要分為第三方實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)和廠內(nèi)自建實(shí)驗(yàn)室 。
質(zhì)量控制貫穿晶圓制造全過(guò)程 ， 是芯片生產(chǎn)良率的關(guān)鍵保障 。按Kaempf標(biāo)準(zhǔn) ， 晶圓缺陷可分為隨機(jī)缺陷和系統(tǒng)缺陷 ， 其中 ， 隨機(jī)缺陷主要由附著在晶圓表面的顆粒引起 ， 其分布位置具有一定隨機(jī)性；系統(tǒng)缺陷主要來(lái)自光刻掩膜和曝光工藝中的系統(tǒng)誤差 ， 一般出現(xiàn)在具有亞分辨率結(jié)構(gòu)特征的區(qū)域 ， 通常位于一片晶圓上不同芯片區(qū)域的同一位置 。
【芯片產(chǎn)業(yè)有望開(kāi)啟新一輪繁榮周期，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備如何乘風(fēng)而起？】按缺陷表征 ， 晶圓缺陷可分為形貌缺陷、污染物和晶體缺陷 ， 其中 ， 形貌缺陷包括微小粗糙面、凹坑 ， 污染物缺陷包括分子層面的有機(jī)層和無(wú)機(jī)層等污染物、原子層面的離子、重金屬缺陷等 ， 晶體缺陷包括硅原子失位/錯(cuò)位、非硅原子摻雜等 。
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