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iPhone 15還沒捂熱,iPhone 16曝光就來了!

文|明美無限
盡管 iPhone 15 系列才發(fā)布一個(gè)月,但 iPhone 16 系列的爆料已經(jīng)不少了 , 最近外媒整理了 iPhone 16 系列曝光的配置,來提前一年前瞻一下都會有哪些變化 。

iPhone 15還沒捂熱,iPhone 16曝光就來了!



首先,近日有數(shù)碼博主爆料稱,iPhone 16開始打樣,打樣線已經(jīng)在成都建好,不出意外的話 , 部分國內(nèi)代工廠會在12月的開始架生產(chǎn)線 , 試產(chǎn)工程樣機(jī),明年3月、4月供應(yīng)商大規(guī)模入駐調(diào)試 。
目前,iPhone 15系列已經(jīng)開售,不少消費(fèi)者都拿到新機(jī) 。但該系列給消費(fèi)者帶來的驚喜好像遠(yuǎn)不如以前 。
不過,據(jù)可靠消息人士透露,iPhone 16系列將帶來一系列令人矚目的創(chuàng)新設(shè)計(jì)和卓越性能 。
這不據(jù)爆料,iPhone 16系列也是4款機(jī)型,分別是iPhone 16、iPhone 16 Plus、iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max 。
對比iPhone 15系列,iPhone 16系列屏幕尺寸、重量有所變化 。其中iPhone 16和iPhone 16 Plus屏幕尺寸跟上一代保持不變 , 重量增加了約2g,分別是6.1英寸、173g和6.7英寸、203g 。
iPhone 16 Pro屏幕尺寸增大至6.27英寸,重量是194g,iPhone 16 Pro Max屏幕尺寸增大至6.85英寸,重量是225g 。
還有,iPhone 16 Pro系列仍然會采用鈦合金材質(zhì) , 這是一種高強(qiáng)度、輕質(zhì)且具有高度耐腐蝕性的金屬,iPhone 15 Pro系列便采用了這種材質(zhì),重量輕了將近20g 。
至于iPhone 16和iPhone 16 Plus,兩款機(jī)型仍然采用與15類似的鋁合金材質(zhì),背部是啞光玻璃,整體工業(yè)設(shè)計(jì)不會有太大變化 。
另外外媒稱其獲得的預(yù)生產(chǎn)信息顯示蘋果預(yù)計(jì)會為 iPhone 16 系列全系配備新的拍攝按鈕,位于電源鍵下方 。需要注意的是這點(diǎn)個(gè)人存疑 。今年 iPhone 15 Pro 系列告別了撥動式靜音鍵,換上了支持自定義功能的操作按鈕 , 位于音量鍵上方(15 和 15Pro 依然是撥動式靜音鍵),個(gè)人猜測 16 系列應(yīng)該全系換上操作按鈕,而非再在電源鍵下方增加一顆拍照快捷鍵 。
核心配置上,爆料稱 iPhone 16 系列全系 A18 系列芯片,iPhone 16 Pro 系列配備的 A18 Pro 芯片將采用臺積電 N3E 工藝,iPhone 16/Plus 預(yù)計(jì)依然配備驍龍 X70 基帶 , 而 iPhone 16 Pro 系列將配備驍龍 X75 基帶,還將支持 WiFi 7,實(shí)現(xiàn)更快的 Wi-Fi 速度、更低的延遲和更可靠的連接 。(早前消息稱臺積電 3nm 制程晶圓分為 N3B 和 N3E 工藝兩個(gè)版本,N3E 目前暫無量產(chǎn)產(chǎn)品,其相比第一代 N3B 工藝來說,也可視為 " 簡化版 " , 成本更低、良率有所提高 。)
其實(shí)按照慣例,蘋果在每一代手機(jī)中都會對標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版進(jìn)行差異化設(shè)計(jì) 。iPhone 15系列和iPhone 14系列都延續(xù)了這一趨勢 。以目前曝光的信息來看,蘋果將在2024年的iPhone 16系列上繼續(xù)強(qiáng)化這種差異化設(shè)計(jì) 。

iPhone 15還沒捂熱,iPhone 16曝光就來了!



值得一提的是,來自分析師Jeff Pu爆料,在2024年的iPhone 16系列上,蘋果iPhone 16四款機(jī)型都將標(biāo)配A18系列芯片 。其中標(biāo)準(zhǔn)版搭載A18 , Pro版搭載A18 Pro 。從Jeff Pu爆料來看 , iPhone 16標(biāo)準(zhǔn)版會跳過A17(iPhone 15搭載A16芯片),直接上A18,這有助于提升標(biāo)準(zhǔn)版的競爭力 。
此外呢 , Jeff Pu還指出,蘋果A18、A18 Pro芯片全部都是基于臺積電第二代3nm工藝制程打造,采用的是N3E工藝 。
據(jù)悉,蘋果A17 Pro使用的是N3B工藝,A18系列使用的N3E可以看作是N3B的“廉價(jià)版”,后者更加注重功耗控制 。
對于新的N3E工藝,高密度SRAM位單元尺寸并沒有縮?。?依然是0.021 μm2,這與N5節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同 。

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