驍龍835采用三星10nm LPE制程工藝
即便今年之前的各路分析預(yù)測都稱10nm LPE“只能和16nmFinFET 性能持平”，甚至有傳言稱“10nm制程將會(huì)和20nm一樣悲劇”，但高通驍龍835已然展現(xiàn)出10nm制程的巨大潛力——的確，10nmLPE的極限性能提升并不大，但它能夠保證長時(shí)間穩(wěn)定高效的性能發(fā)揮，相比14nm和16nm的“三分鐘真男人”要良心太多 。
至于今年下半年高通將會(huì)發(fā)布的采用10nm LPPFinFET(第二代10nm)制程工藝的新旗艦SoC，我們只能說，雖然一切都是未知數(shù)，但第二代10nm制程所帶來的更高性能和更優(yōu)功耗絕對(duì)值得期待 。
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