1. 首頁 > 生活百科 > >

業界首次，SK海力士256GB DDR5 RDIMM獲英特爾數據中心認證

語音識別海事局

業界首次，SK海力士256GB DDR5 RDIMM獲英特爾數據中心認證
SK海力士宣布 ， 將基于第五代10納米級（1b）32Gb單片的256GB DDR5 RDIMM高容量服務器DRAM模塊應用于英特爾至強6平臺 ， 業界首次通過了英特爾數據中心認證 。

RDIMM即寄存雙列直插式內存模塊 ， 在存儲器模塊的內存控制器與DRAM芯片之間增加可中繼地址、命令信號的寄存器或時鐘緩沖器 ， 適用于服務器和工作站的DRAM模塊 。 此次認證在位于美國的英特爾先進數據中心開發實驗室完成 。 SK海力士經過數次的全方位評估 ， 證實其產品與Xeon平臺相結合時具備可靠的性能、兼容性和品質 。
SK海力士表示：“此次率先完成與引領服務器CPU市場的英特爾最新服務器平臺的兼容性驗證 ， 證明公司的高容量DDR5模塊技術已達到全球頂尖水平 。 將以此為基礎 ， 深化與全球主要數據中心企業的合作 ， 及時應對激增的服務器客戶需求 ， 鞏固下一代存儲器市場的領導地位 。 ”
在下一代人工智能（AI）基礎設施中 ， 存儲器正成為決定性能的核心要素 。 近期AI推理模型不僅需執行簡單的回答生成 ， 還需執行復雜的邏輯思考過程 ， 實時處理的數據量正在指數級增長 。 為了高速穩定處理海量數據 ， 必須具備高容量、高性能的存儲器 ， 因此其市場需求也在激增 。
SK海力士強調 ， 該產品是符合市場需求的最佳解決方案 。 技術團隊表示：“搭載本產品的服務器與采用32Gb 128GB產品時相比 ， 推理性能提高了16% 。 通過利用32Gb DRAM單芯片設計 ， 其功耗較1a 16Gb 256GB產品降低約18% 。 ”
SK海力士DRAM產品規劃擔當李相權副社長表示：“通過此次認證 ， 公司鞏固了在DDR5服務器DRAM市場的主導地位 ， 也快速應對了客戶的要求 。 作為全方位面向AI的存儲器創造者 ， 將積極應對高性能、低功耗、高容量存儲器需求的增長 ， 致力于滿足客戶要求 。 ”
英特爾公司平臺架構（Platform Architecture）副總裁Dimitrios Ziakas表示：“雙方緊密合作顯著提升了技術成熟度 ， 由此取得了良好成果 ， 也為存儲器技術的發展做出了貢獻 。 高容量模塊將有效應對AI工作負載（Workload）激增需求 ， 大幅提升數據中心客戶所需的性能和效率 。 ”
值得一提的是 ， 2023年1月SK海力士采用EUV（極紫外線）技術的1a納米DDR5 DRAM產品就獲得了英特爾推出的第四代Xeon服務器處理器可支持的存儲器認證 。 當時SK海力士透露 ，其DDR5與DDR4相比 ， 功耗最多可減少約20% ， 性能至少提升70%以上 ， 有望為服務器客戶提供高效能功耗比和降低碳排放量的效果 。
今年9月 ， SK海力士引進存儲器業界首臺量產型High NA EUV設備 。 SK海力士自2021年首次在第四代10納米級（1a）DRAM中引入EUV技術以來 ， 持續將EUV應用擴展至先進DRAM制造領域 。 此次引進的設備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B ， 它是首款量產型High-NA EUV設備 。 與現有的EUV設備（NA 0.33）相比 ， 其光學性能（NA 0.55）提升了40% ， 這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案 ， 并將集成度提升2.9倍 。
SK海力士計劃通過引進該設備 ， 簡化現有的EUV工藝 ， 并加快下一代半導體存儲器的研發進程 ， 從而確保在產品性能和成本方面的競爭力 。
【業界首次，SK海力士256GB DDR5 RDIMM獲英特爾數據中心認證】想要獲取半導體產業的前沿洞見、技術速遞、趨勢解析 ， 關注我們！

    推薦閱讀