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此時空穴載流子也是有的，只不過相對電子載流子占少數(shù)而已，日子也就這么一天天過下去了…
P型半導體窮村的村長一看N型半導體富村的發(fā)展情況，心里不平衡了，于是找富村村長商量一下，可否把我們村的經(jīng)濟情況帶動一下，都是一個鄉(xiāng)的，差距太大傳出去不好。富村村長稍一思量就答應(yīng)了，同時跟村里人傳達了一下，兩村合并如下圖所示：

剛剛合并的時候，N型半導體的電子載流子濃度很高，所以很多電子都往P型半導體那邊跑，并與其中的空穴復(fù)合。
這個合并的過程也可以認為是P型的空穴向N型擴散，因為電子的移動方向總是與空穴的移動方向相反的，總之是多數(shù)載流子向少數(shù)載流子區(qū)前進，如下圖所示：

我們把因濃度差而引起載流子由高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的轉(zhuǎn)移，稱為擴散。
【二極管的應(yīng)用領(lǐng)域二極管的應(yīng)用步驟】理論上講，兩個半導體合并之后，P型半導體中的多數(shù)載流子空穴與N型的多數(shù)載流子電子會全部復(fù)合，但合并開始后，每次電子與空穴的復(fù)合，都會相應(yīng)產(chǎn)生正離子與負離子，它們將產(chǎn)生內(nèi)部電場力阻礙由于濃度差而帶來的擴散。這個電場力會把P型半導體中的少數(shù)載流子電子往N型半導體中轉(zhuǎn)移，同時把N型導體中的少數(shù)載流子空穴往P型半導體中轉(zhuǎn)移。

我們把電場的吸引或排斥作用引起的載流子移動叫做漂移。
很明顯，對于兩個材料的合并來說，擴散作用力是起正作用的，而漂移作用是起阻止作用的，這兩個作用力是同時開始的。
剛開始的時候，擴散作用力比漂移作用力大，因此中間有一大片的電子與空穴都復(fù)合在一起，最后只留下不能移動的正離子與負離子，但是隨著復(fù)合的空穴電子越多，留下的正離子與負離子也越來越多，形成的內(nèi)電場越來越大，最后與擴散能力達到平衡，如下圖所示：

N型富村村長一看阻礙力（漂移作用）有點大，與P型窮村村長合計了一下，就先這樣吧，不要再繼續(xù)了，先看看效果如何。
我們把P型半導體與N型半導體合并后形成的正負電荷區(qū)稱為PN結(jié)（也叫耗盡層），從P型半導體（P區(qū)）引出的電極稱為A極（anode，陽極），而從N型半導體（N區(qū)）引出的電極稱為K極（kathode/cathode，陰極），這樣就形成了一個二極管了。
下面我們來看看這個二極管的特性
如下圖所示，P區(qū)接電壓正極，N區(qū)接電壓負極（稱為電壓正向偏置）

我們從小到大調(diào)整外加電壓V來對二極管進行測試。
當外加電壓V比較小時，由于PN結(jié)內(nèi)電場的存在阻礙外電場的作用，此時二極管呈現(xiàn)出一個大電阻，正向電流幾乎為零，好像有一個門坎，我們把這個門坎電壓稱為死區(qū)電壓VTH，硅管的VTH約為0.5V，鍺管的VTH約為0.1V 。
雖然二極管還沒有導通，但是由于外電場的作用，P區(qū)的多數(shù)載流子空穴與N區(qū)的多數(shù)載流子電子都向PN結(jié)移動，并與PN結(jié)中的正負離子相互中和，使PN結(jié)的電荷區(qū)變窄。
當外加電壓V大于死區(qū)電壓VTH時，二極管因內(nèi)電場削弱而開始導通，并形成了正向電流IF（Forward current），同時在二極管兩端會有一定的正向壓降VF（Forward voltage），硅管的VF約為0.7V，鍺管的VF約為0.3V