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ddr3和ddr3l的區(qū)別

1、工作電壓不同：DDR3電壓為1.5V，DDR3L電壓為1.35V 。
2、功耗有所區(qū)別：DDR3內存采用1.5V工作電壓，而DDR3L內存則是1.35V工作電壓，DDR3L比DDR3節(jié)能2W左右。
3、性能上有所區(qū)別：DDR3標壓內存相比DDR3L低壓內存，性能強了10-15% 。
4、兼容性不一樣：DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容，但在Haswell平臺下卻不完全兼容Intel Haswl處理器，Intel Haswl為了更好的降低功耗，其支持的內存類型只有DDR3L，并不能兼容DDR3 。
5、價格區(qū)別:DDR3L低壓內存相比DDR3標壓內存要略便宜一些。
筆記本內存ddr3和ddr3l通用嗎一、電壓的不同
1、DDR3L是低電壓版內存，全稱“DDR3 Low Voltage”(低電壓版DDR3)，運行電壓1.35V
2、DDR3是常壓內存，運行電壓1.5V 。
二、兼容性不同
雖然DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容，但在Haswell平臺下卻不完全兼容IntelHaswl處理器，IntelHaswl為了更好地降低功耗，其支持的內存類型只有DDR3L，并不能兼容DDR3 。
三、功耗不同
DDR3L內存采用1.35V工作電壓，而DDR3內存則是1.5V工作電壓，DDR3L低壓內存大約比DDR3標壓內存節(jié)能2W左右。
【ddr3和ddr3l的區(qū)別】DDR3標壓內存相比DDR3L低壓內存，性能強了大約10-15%左右。

擴展資料：
DDR3系列內存的優(yōu)點：
1、功耗和發(fā)熱量較小。
2、工作頻率更高。
3、降低顯卡整體成本。
4、通用性好。
DR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應用。許多低端的顯卡也有采用DDR3顯存的。
ddr3l和ddr3的區(qū)別能混合ddr3l和ddr3的區(qū)別是：功耗區(qū)別、性能區(qū)別、價格區(qū)別。
1、功耗區(qū)別：標準的DDR3內存采用1.5V工作電壓，而DDR3L內存則采用的是1.35V工作電壓。比如，一根4GDDR3L1600筆記本內存，要比DDR3節(jié)省2W功耗，如果組成雙通道將會節(jié)省4W功耗。
2、性能區(qū)別：DDR3L內存功耗相比DDR3標準內存低了15% ，功耗的降低，自然會造成性能的下降。通過測試，DDR3L內存性能要低于DDR3內存，不過兩者差距并不算大。
3、價格區(qū)別：DDR3L內存通常要比DDR3標準內存便宜一些，具體大家可以網(wǎng)上搜索一下就知道了。

內存的分類
內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態(tài)隨機存儲器，它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時說的內存就是指這一種。后者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。
DDR3最高能夠以2400Mhz的速度，由于最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從800Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
DDR3L其實這里后面的L是LowVoltage的縮寫，DDR3L全稱是DDR3LowVoltage，也就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的DDR3內存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。
ddr3和ddr3l是什么意思1、工作電壓不一致。DDR3L的工作電壓為1．35V，DDR3的工作電壓為1．5V 。
2、不同的兼容性。兩者在大多數(shù)情況下是兼容的，但它們與Haswell平臺下的Intel Haswell處理器不完全兼容。為了更好地降低功耗，支持的內存類型僅為DDR3L，它與DDR3不兼容。
3、功耗差異。標準DDR3內存使用1．5V工作電壓，而DDR3L內存使用1．35V工作電壓。
4、性能差異。DDR3L內存的功耗比DDR3標準內存低15％。功耗的降低自然會導致性能下降。通過測試，DDR3L內存性能低于DDR3內存，但是兩者之間的差距并不大。

擴展資料：
內存條是計算機組件，CPU可以通過總線尋址并執(zhí)行讀取和寫入操作。內存模塊曾經是個人計算機歷史上主內存的擴展。隨著計算機軟件和硬件技術的不斷更新，記憶棒已成為讀寫存儲器的整體。我們通常所說的計算機內存（RAM）的大小是指內存條的總容量。
評價內存條的性能指標一共有四個：
1、存儲容量：即一根內存條可以容納的二進制信息量，如常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB 。
2、存取速度（存儲周期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
3、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
4、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容，性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。