1、pn結(jié)的形成pn結(jié)的形成是在p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體之間在電場的作用下的擴(kuò)散運(yùn)動形成的勢壘區(qū)（domain） 。
2、pn結(jié)的導(dǎo)電能力半導(dǎo)體中的電子必須從低能級跳到高能級 ， 才能形成自由載流子（freecarrier） 。因此當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)加反向偏壓時(shí)（即加在p型和n型之間的電壓），空穴由原來的s極漂移到e電極而電子由原來的p極漂移到d極，由于擴(kuò)散作用使多數(shù)載流子在濃度差梯度的方向上集中從而形成少數(shù)載流子的注入-遷移現(xiàn)象 。
【MOS管的工作原理 mos管的工作原理與作用】3、pn結(jié)的反向擊穿當(dāng)外加電壓超過一定值時(shí)，少數(shù)載流子的數(shù)量超過了多數(shù)載流子數(shù)量的兩倍時(shí)就會發(fā)生反向擊穿而使二極管損壞 。
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