作為世界第二大經(jīng)濟體，同時也是第5個擁有核武器的國家 。我國現(xiàn)階段最大的遺憾 ， 可能就是不能制造的國產(chǎn)EUV光刻機了 。
有些人會拿原子彈來和光刻機比 ， 納悶為什么當年一窮二白都能造出原子彈，如今卻造不出光刻機？
首先，目前不光中國 ， 所有擁核國家都沒有制造出最先進的EUV光刻機，在這方面還不如沒有原子彈的日本與荷蘭 。
其次，拿做原子彈來跟做光刻機比，相當于列了一項不等式 。
原子彈和光刻機 ， 是一項不等式眾所周知，我國當初研制原子彈時，可謂是內(nèi)外交困 。一窮二白的新中國，靠著“勒緊褲腰帶”和錢學森等一眾科研人才 ， 僅用算盤就做出了原子彈 。
然而和龐大的計算量相比，制作表面極為光滑的鈾球，更是難如登天 。作為原子彈的“心臟”，鈾球的尺寸和規(guī)格，都必須足夠精密 ， 稍有差池，原子彈就不會爆炸 。
當時我國工業(yè)相對落后，沒有自動化設(shè)備，都是老師傅在車床邊一點點打磨出來的 。
正因如此，有人會拿這點來對比，認為研制光刻機也是“細活”，為什么現(xiàn)在中國工業(yè)取得飛速發(fā)展后，仍做不出來一臺光刻機？
鈾球
其實我國早在1977年，就研制出了一臺GK-3型半自動光刻機 。3年后，清華大學還將精度提高到了3微米，當時ASML公司甚至都還沒有成立 。
除了國內(nèi)面對的一些問題外 ， 最主要的有兩個層面的原因 。一、光刻機技術(shù)的日新月異；二、以美國為首的封鎖網(wǎng) 。
光刻機技術(shù)的跑道，就像一根牛角，光刻機技術(shù)的極限就是物理學的極限 。因此，隨著技術(shù)發(fā)展，研發(fā)門檻也越來越高 。
作為核心技術(shù) ， 光刻機的升級離不開光源的進步 。如今ASML公司壟斷的EUV技術(shù)，說白了就是極紫外線 。而在此之前，全球的光刻機用的都是DUV ， 也就是深紫外線 。
深紫外線要想變成極紫外線，就需要多次擊打液態(tài)的金屬錫，將其轉(zhuǎn)化成等離子態(tài)，激發(fā)波長更短的極紫外線 。
最難的是，這些液態(tài)金屬錫是滴下來的 ， 而且大小只有將近20微米 。要想讓深紫外線精準打在上面，對設(shè)備的精密度有著極高要求，遠比鈾球要難得多 。
對于原子彈來說，鈾球是“心臟”，而對于EUV光刻機來說 ， 工作臺就是“心臟” 。工作臺的精度，決定了加工芯片的精度 。
ASML公司的EUV光刻機，用的是目前最先進的雙工作臺，一個工作臺進行對焦等準備工作，另一個工作臺直接進行掃描曝光 。
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