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華為Mate60Pro系列的發(fā)布，沒有預(yù)熱、沒有發(fā)布會、沒有詳細(xì)的硬件參數(shù)介紹，這給媒體及拆解機(jī)構(gòu)對這款手機(jī)細(xì)節(jié)的曝光埋下了伏筆。而網(wǎng)友最關(guān)心的，莫過于Mate60Pro機(jī)身內(nèi)部搭載的這顆心臟-麒麟9000S芯片。
由于芯片逆向分析門檻比較高，普通玩家僅能從標(biāo)識、測試方面判斷這是來自國內(nèi)芯片廠代工，性能比上一代麒麟9000略強(qiáng)，大概率能猜出是哪個(gè)芯片廠，但用到了多少什么工藝？晶體管密度怎么樣？只能等待業(yè)內(nèi)專業(yè)機(jī)構(gòu)的拆解報(bào)告。

接近三星5nm！麒麟9000S達(dá)到了什么水平？外媒：DUV光刻機(jī)極限

在該專業(yè)領(lǐng)域，strategy analytics的母公司TechInsights是芯片逆向工程領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)，曾經(jīng)拆解并分析、曝光過包括三星、鎂光、SK海力士、長江存儲在內(nèi)的最新型的芯片。華為麒麟芯片的回歸，自然也成了其研究的重點(diǎn)課題。
此前，TechInsights拆解并發(fā)文表示，麒麟9000S采用了7nm或等效7nm的制造工藝，并且確定了產(chǎn)自大陸芯片廠，而近期，TechInsights又帶來了更進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，TechInsights通過電子顯微鏡掃描出來的結(jié)果顯示，麒麟9000S的密度為100MTR/mm2，也就是晶體管的密度為100萬晶體管每平方毫米，這一密度已經(jīng)超過了臺積電的N7P 。

放眼當(dāng)下，臺積電的N7P已經(jīng)是用DUV光刻機(jī)做出來的最大晶體管密度了，華為芯片晶體管密度能超過臺積電N7P，一些外媒發(fā)出感慨：這是目前所知DUV光刻機(jī)的極限了，基本上已經(jīng)接近略遜一籌的三星5nm工藝了！
關(guān)于TechInsights的分析，到底是不是真的，見仁見智，不排除這是對中國芯片產(chǎn)業(yè)取得突破的贊美，也不排除這是中美科技競爭壓力之下對中國芯片產(chǎn)業(yè)的“捧殺”！

【接近三星5nm！麒麟9000S達(dá)到了什么水平？外媒：DUV光刻機(jī)極限】在制造工藝方面，中芯國際有N+1工藝，等同于臺積電10nm工藝，還有N+2工藝，等效7nm工藝，而外界一直認(rèn)為，這很可能就是N+2工藝。此外，TechInsights還確定不是EUV工藝，因?yàn)镋UV的光刻痕跡與DUV光刻留下的痕跡不一樣。
那沒有EUV光刻機(jī)，怎么能達(dá)到堪比三星5nm、超過臺積電DUV 7nm的水平呢？
其實(shí)了解ASML光刻機(jī)的分類就會發(fā)現(xiàn)，采用193nm波長的光源經(jīng)過水的折射后可以來到134nm，再經(jīng)過多次曝光后可以實(shí)現(xiàn)7nm，經(jīng)過多次曝光后可以來到7nm 。所以即便沒有EUV光刻機(jī)，也能成功實(shí)現(xiàn)7nm工藝芯片的量產(chǎn) 。

不過，有一點(diǎn)我們要有一個(gè)清醒的認(rèn)知，麒麟芯片的回歸，確實(shí)印證了我國已經(jīng)打通中高端芯片生產(chǎn)線，但我國芯片產(chǎn)業(yè)所面臨的形勢依舊非常嚴(yán)峻。為什么這樣說呢？
臺積電用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7nm工藝芯片的模式已經(jīng)淘汰了，而是直接選擇EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)，因?yàn)槎啻纹毓獾倪^程，不僅會導(dǎo)致良品率降低，成本大幅提升，生產(chǎn)效率還會明顯降低，因?yàn)槊可a(chǎn)一顆芯片需要曝光3次，所以這就需要更多中高端型號的DUV光刻機(jī) 。

目前ASML雖然可以出貨，但產(chǎn)能有限，2024年1月1日申請?jiān)S可過期。想要制造7nm芯片，并且實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能上的穩(wěn)定性，還需要國產(chǎn)DUV光刻機(jī)的落地。想要制造比麒麟9000S工藝更先進(jìn)的芯片，只能靠EUV光刻機(jī)，因?yàn)閲鴥?nèi)芯片企業(yè)基本已榨干了DUV光刻機(jī)的性能，所以這需要一定的時(shí)間。
不過，我國有全球最大的芯片市場，也在成為芯片產(chǎn)能最大的國家，還有一大批敢于浴血奮戰(zhàn)的科研人員、大量的科研經(jīng)費(fèi)，相信國產(chǎn)芯片的未來是可期的！