半導體第三代是指：禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料 。半導體產業(yè)發(fā)展至今經歷了三個階段 ， 第一代半導體材料以硅為代表；第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用；而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，相較前兩代產品性能優(yōu)勢顯著 。
如果依然對第三代半導體材料感到陌生，可以抬頭看看家中無處不在的LED(發(fā)光二極管)燈 。氮化鎵基藍光LED的發(fā)明使高效白光LED照明得以實現(xiàn) ， 引起了人類照明光源的又一次革命 。
當然，氮化鎵基藍光LED僅僅只是一個開端 ， 第三代半導體實際上擁有著更大、更廣闊的市場發(fā)展空間 。
【第三代半導體是什么】由于第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，因此在短波發(fā)光、激光、探測等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領域擁有廣闊應用前景 。
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