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IGBT在電路中經(jīng)常使用在大功率電源當中，其元件的構造與特征能夠使其順利的在高功率電路中能夠提供高安全性與大功率的支持，本文將為大家介紹IGBT元件的構造與特征，并為大家介紹IGBT與功率MOS的區(qū)別，感興趣的朋友快來看一看吧。IGBT的構造和功
IGBT在電路中經(jīng)常使用在大功率電源當中，其元件的構造與特征能夠使其順利的在高功率電路中能夠提供高安全性與大功率的支持，本文將為大家介紹IGBT元件的構造與特征，并為大家介紹IGBT與功率MOS的區(qū)別，感興趣的朋友快來看一看吧。
IGBT的構造和功率MOSFET的對比如圖1所示。IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構成的，從而具有以下種種特征。

圖1功率MOSFET與IGBT的構造比較

(1)MOSFET的基本結構(2)IGBT的基本結構
IGBT為電壓控制型元件
IGBT的理想等效電路，正如圖2所示，是對pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。
因此，在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導通時， pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導通狀態(tài) 。
此后，使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時，首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài) ， pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態(tài) 。如上所述， IGBT和功率MOSFET一樣，通過電壓信號可以控制開通和關斷動作。

圖2理想的等效電路
【igbt的主要作用是什么 igbt是由什么驅動】
耐高壓、大容量
IGBT和功率MOSFET同樣，雖然在門極上外加正電壓即可導通，但是由于通過在漏極上追加p+層，在導通狀態(tài)下從p+層向n基極注入空穴，從而引發(fā)傳導性能的轉變，因此它與功率MOSFET相比，可以得到極低的通態(tài)電阻。
下面對通過IGBT可以得到低通態(tài)電壓的原理進行簡單說明。
眾所周知，功率MOSFET是通過在門極上外加正電壓，使p基極層形成溝道，從而進入導通狀態(tài)的。此時，由于n發(fā)射極(源極)層和n基極層以溝道為媒介而導通， MOSFET的漏極—源極之間形成了單一的半導體(如圖1中的n型) 。它的電特性也就成了單純的電阻。該電阻越低，通態(tài)電壓也就變得越低。但是，在MOSFET進行耐高壓化的同時， n基極層需要加厚， (n基極層的作用是在阻斷狀態(tài)下，維持漏極—源極之間所外加的電壓。因此，需要維持的電壓越高，該層就越厚。)元件的耐壓性能越高，漏極—源極之間的電阻也就增加。正因為如此，高耐壓的功率MOSFET的通態(tài)電阻變大，無法使大量的電流順利通過，因此實現(xiàn)大容量化非常困難。