針對這一點 ， IGBT中由于追加了p+層 ， 所以從漏極方面來看 ， 它與n基極層之間構(gòu)成了pn二極管 。因為這個二極管的作用 ， n基極得到電導(dǎo)率調(diào)制 ， 從而使通態(tài)電阻減小到幾乎可以忽略的值 。因此 ， IGBT與MOSFET相比 ， 能更容易地實現(xiàn)大容量化 。
正如圖2所表示的理想的等效電路那樣 ， IGBT是pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進行達林頓連接后形成的單片級聯(lián)型Bi-MOS晶體管 。此外 ， IGBT與雙極型晶體管的芯片和功率MOSFET的芯片共同組合成的混合級聯(lián)型Bi-MOS晶體管的區(qū)別就在于功率MOSFET部的通態(tài)電阻 。在IGBT中功率MOSFET部的通態(tài)電阻變得其微小 ， 再考慮到芯片間需要布線這一點 ， IGBT比混合級聯(lián)型Bi-MOS晶體管優(yōu)越 。
IGBT的驅(qū)動電路有什么特點？
驅(qū)動電路的作用是將微處理器輸出的脈沖進行功率放大 ， 以驅(qū)動IGBT ， 保證IGBT的可靠工作 。驅(qū)動電路有著至關(guān)重要的作用 ， IGBT驅(qū)動電路有以下基本特點：
（1）提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?nbsp;， 使IGBT可靠的開通和關(guān)斷 。
（2）提供足夠大的瞬時電流或瞬態(tài)功率 ， 使IGBT能迅速建立柵控電場而導(dǎo)通 。
（3）具有盡可能小的輸入輸出延遲時間 ， 以提高工作效率 。
（4）具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能 ， 使信號電路與柵極驅(qū)動電路絕緣 。
（5）具有靈敏的過流保護能力 。
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