離子晶體的熔沸點(diǎn)是根據(jù)離子所帶的電荷數(shù)來比較的，離子所帶的電荷數(shù)越高，離子的半徑就越小，則該離子的熔沸點(diǎn)就越高 。
一般來說，晶體類的熔沸點(diǎn)比較是：原子晶體>離子晶體>分子晶體;除少數(shù)外的金屬晶體，大部分金屬晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體 。
【離子晶體熔沸點(diǎn)比較 離子晶體熔沸點(diǎn)比較方法是什么】同一晶體類型的物質(zhì)比較熔沸點(diǎn)，則需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力，作用力越大，那么熔沸點(diǎn)就越高 。
分子晶體的熔沸點(diǎn)受晶體分子中分子間的作用力影響，這個(gè)作用力包括了范德華力和氫鍵 。
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