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電腦的內(nèi)存條包含內(nèi)容？:如何排除電腦故障( 四 )

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思量可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時(shí)候內(nèi)存的速度較快，但有可能呈現(xiàn)因行單元開(kāi)啟時(shí)間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸

的情況，在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時(shí)尤其是這樣，縱然是品牌內(nèi)存大部分也承受不了如此苛刻

的設(shè)置 。
SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間)

可選項(xiàng)：2，3 。

該參數(shù)可以節(jié)制SDRAM行地址選通脈沖(RAS，Row Address Strobe)旌旗燈號(hào)與列地址選通脈沖旌旗燈號(hào)之間

的延遲 。對(duì)SDRAM進(jìn)行讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖旌旗燈號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期 。出于最佳

性能思量可將該參數(shù)設(shè)為2，如果體系無(wú)法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3 。
SDRAM RAS Precharge Time(內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間)

可選項(xiàng)：2，3 。

該參數(shù)可以節(jié)制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù) 。將預(yù)充電

時(shí)間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能，但是如果2個(gè)時(shí)鐘周期的預(yù)充電時(shí)間不足，則SDRAM會(huì)因無(wú)法正常完成

刷新操作而不克不及保持?jǐn)?shù)據(jù) 。
Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的內(nèi)存保留區(qū))

可選項(xiàng)： Disabled，Enabled 。

一些特殊的ISA擴(kuò)展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的內(nèi)存區(qū)域，該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)

存區(qū)域保留給此類(lèi)ISA擴(kuò)展卡使用 。由于PC’99規(guī)范已不再支持ISA擴(kuò)展槽，所以新型的主板一般都沒(méi)有

ISA插槽，因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled 。
System Memory Frequency(體系內(nèi)存頻率)

可選項(xiàng)：AUTO、100MHz、133MHz 。

此項(xiàng)設(shè)置使成為事實(shí)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功效 。AUTO：根據(jù)內(nèi)存的特性自動(dòng)設(shè)定內(nèi)存的工作頻率；100MHz：

將內(nèi)存強(qiáng)力壓制設(shè)定在100MHz頻率下工作；133MHz：將內(nèi)存強(qiáng)力壓制設(shè)定在133MHz頻率下工作 。
Memory Parity/ECC Check(內(nèi)存奇偶/ECC校驗(yàn))

可選項(xiàng)：Disabled，Enabled 。

如果體系使用了ECC內(nèi)存，可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled，否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled 。ECC表

示差錯(cuò)校驗(yàn)和改正(Error Checking and Correction)一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功效，這種

內(nèi)存條有使成為事實(shí)ECC功效的內(nèi)存顆粒，使體系能夠檢測(cè)并改正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯(cuò)或者是檢測(cè)出兩位數(shù)

據(jù)差錯(cuò) 。ECC功效可以提高數(shù)據(jù)的完整性和體系的穩(wěn)定性，這對(duì)服務(wù)器尤其重要，但ECC會(huì)造成一定的性

能損失 。
VIA芯片組主板

VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項(xiàng)要富厚一些，在這類(lèi)主板BIOS的Advanced

Chipset Features(高級(jí)芯片組特性)設(shè)置頁(yè)面中一般包羅以下內(nèi)存設(shè)置項(xiàng)：

Bank 0/1、2/三、4/5 DRAM Timing(內(nèi)存速度設(shè)定)

可選項(xiàng)：Turbo(高速)，F(xiàn)ast(迅速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns 。

該選項(xiàng)用于設(shè)定內(nèi)存的速度，對(duì)于SDRAM內(nèi)存條，設(shè)定為SDRAM 8/10 ns便可 。
SDRAM Clock(內(nèi)存時(shí)鐘頻率)

可選項(xiàng)：HOST CLK，HCLK 33M(或HCLK-33M) 。

該參數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運(yùn)行模式 。HOST CLK表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于體系的外頻，HCLK 33M表示內(nèi)存

運(yùn)行頻率等于體系外頻再加上33MHz，HCLK-33M表示內(nèi)存運(yùn)行頻率等于體系外頻減去33MHz 。如Pentium

Ⅲ 800EB時(shí)，BIOS自動(dòng)使該參數(shù)的可選項(xiàng)呈現(xiàn)HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133內(nèi)存，可以將該參

數(shù)設(shè)為HOST CLK，如果使用PC100內(nèi)存，則可以將該參數(shù)設(shè)為HCLK-33M，這樣就可使體系配合性能較低

的PC100內(nèi)存使用 。內(nèi)存異步功效使體系對(duì)內(nèi)存的兼容性的提升是比較較著的，也是VIA芯片組一項(xiàng)比較

重要的功效 。

Bank Interleave(內(nèi)存Bank交錯(cuò))

可選項(xiàng)：Disabled，2-Bank，4-Bank 。

內(nèi)存交錯(cuò)使SDRAM內(nèi)存各個(gè)面的刷新時(shí)鐘信與讀寫(xiě)時(shí)鐘旌旗燈號(hào)能夠交錯(cuò)呈現(xiàn)，這可以使成為事實(shí)CPU在刷新一

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