FinFET是什么?
業(yè)界主流芯片還停留在20/22nm工藝節(jié)點上的時候，Intel就率先引入了3D FinFET這種技術(shù) 。后來三星和臺積電在14/16nm節(jié)點上也大范圍用上了類似的FinFET技術(shù) 。下面我們統(tǒng)稱為FinFET 。
FinFET(Fin Field-Effect Transistor)稱為鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的晶體管，稱為CMOS 。具體一點就是把芯片內(nèi)部平面的結(jié)構(gòu)變成了3D，把柵極形狀改制，增大接觸面積，減少柵極寬度的同時降低漏電率，而晶體管空間利用率大大增加 。
因為優(yōu)勢明顯，目前已經(jīng)被大規(guī)模應(yīng)用到手機(jī)芯片上 。
經(jīng)歷了14/16nm工藝節(jié)點后，F(xiàn)inFET也歷經(jīng)升級，但這種升級是存在瓶頸的 。目前，大廠們正研究新的FD-SOI(全耗盡絕緣體硅)工藝、硅光子技術(shù)、3D堆疊技術(shù)等，斥資尋求技術(shù)突破，為日后7nm、甚至5nm工藝領(lǐng)先布局 。
LPE/LPP/LPC/LPU又是什么?
在工藝分類上，芯片主要分兩大類：
HP(High Performance)：主打高性能應(yīng)用范疇;
LP(Low Power)：主打低功耗應(yīng)用范疇 。
滿足不同客戶需求，HP內(nèi)部再細(xì)分HPL、HPC、HPC 、HP和HPM五種 。
HP和LP之間最重要區(qū)別就在性能和漏電率上，HP在主打性能，漏電率能夠控制在很低水平，芯片成本高;LP則更適合中低端處理器使用，因為成本低 。
所以，芯片除了在制程上尋求突破，工藝上也會逐步升級 。
2014年底，三星宣布了世界首個14nm FinFET 3D晶體管進(jìn)入量產(chǎn)，標(biāo)志著半導(dǎo)體晶體管進(jìn)入3D時代 。發(fā)展到今天，三星擁有了四代14nm工藝，第一代是蘋果A9上面的FinFET LPE(Low Power Early)，第二代則是用在獵戶座8890、驍龍820和驍龍625上面的FinFET LPP(Low Power Plus) 。第三代是FinFET LPC，第四代則是目前的FinFET LPU 。至于10nm工藝，三星則更新到了第三代(LPE/LPP/LPC) 。
目前為止，三星已經(jīng)將70000多顆第一代LPE(低功耗早期)硅晶片交付給客戶 。三星自家的獵戶座8895，以及高通的驍龍835，都采用這種工藝制造，而10nm第二代LPP版和第三代LPU版將分別在年底和明年進(jìn)入批量生產(chǎn) 。
不知不覺，手機(jī)芯片市場上已經(jīng)進(jìn)入了10nm、7nm處理器的白熱化競爭階段，而14/16nm制程的爭奪也不過是一兩年前的事 。
之前有人懷疑摩爾定律在今天是否還適用，就芯片的進(jìn)化速度和技術(shù)儲備來看，不是技術(shù)能力達(dá)不到，而是廠商們的競爭程度未必能逼迫它們?nèi)偾斑M(jìn) 。
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