【晶界層型半導(dǎo)體優(yōu)點(diǎn)】
位錯(cuò)層型半導(dǎo)體材料優(yōu)勢(shì)有溫度特性好、頻率特點(diǎn)好、輸出功率高 。位錯(cuò)是結(jié)構(gòu)同樣而趨向不一樣晶體間的頁面 。在位錯(cuò)表面，原子排列從一個(gè)趨向銜接到另一個(gè)趨向，故位錯(cuò)處原子排列處在調(diào)整情況 。晶體與晶粒中間接觸的頁面稱為位錯(cuò) 。功能材料材質(zhì)是由細(xì)微顆粒料煅燒而成 。在煅燒時(shí)，眾多細(xì)微顆粒物產(chǎn)生大量結(jié)晶體核心 。當(dāng)它長(zhǎng)成晶體并漸漸長(zhǎng)大到相見時(shí)就會(huì)形成位錯(cuò) 。
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