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天璣9000晶體管數(shù)量 晶體管數(shù)量

編輯:桃子 拉燕
【新智元導(dǎo)讀】周四,英國的明星AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,采用臺積電3D封裝技術(shù),性能提升40%,首次突破7納米工藝極限 。
全球首顆3D封裝芯片誕生!
周四,總部位于英國的AI芯片公司Graphcore發(fā)布了一款I(lǐng)PU產(chǎn)品Bow,采用的是臺積電7納米的3D封裝技術(shù) 。
據(jù)介紹,這款處理器將計算機(jī)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的速度提升40%,同時能耗比提升了16% 。

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600億晶體管,首顆3D芯片誕生
能夠有如此大的提升,也是得益于臺積電的3D WoW硅晶圓堆疊技術(shù),從而實現(xiàn)了性能和能耗比的全面提升 。
正如剛剛所提到的,與Graphcore的上一代相比,Bow IPU可以訓(xùn)練關(guān)鍵的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),速度約為40%,同時,效率也提升了16% 。
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同時,在臺積電技術(shù)加持下,Bow IPU單個封裝中的晶體管數(shù)量也達(dá)到了前所未有的新高度,擁有超過600億個晶體管 。
官方介紹稱,Bow IPU的變化是這顆芯片采用3D封裝,晶體管的規(guī)模有所增加,算力和吞吐量均得到提升,Bow每秒可以執(zhí)行350萬億flop的混合精度AI運算,是上代的1.4倍,吞吐量從47.5TB提高到了65TB 。
Knowles將其稱為當(dāng)今世界上性能最高的AI處理器,確實當(dāng)之無愧 。
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Bow IPU的誕生證明了芯片性能的提升并不一定要提升工藝,也可以升級封裝技術(shù),向先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)移 。
Graphcore 首席技術(shù)官和聯(lián)合創(chuàng)始人Simon Knowles表示,「我們正在進(jìn)入一個先進(jìn)封裝的時代 。在這個時代,多個硅芯片將被封裝在一起,以彌補(bǔ)在不斷放緩的摩爾定律 (Moore’s Law) 道路上取得的不斷進(jìn)步所帶來的性能優(yōu)勢 。」
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臺積電真WoW!
2018年4月,在美國加州圣克拉拉舉行了第二十四屆年度技術(shù)研討會 。在這次會上,全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)臺積電首次對外公布了名叫SoIC(System on Integrated Chips)的芯片3D封裝技術(shù) 。
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這是一種整合芯片的封裝技術(shù),由臺積電和谷歌等公司共同測試開發(fā) 。而谷歌也將成為臺積電3D封裝芯片的第一批客戶 。
什么是封裝技術(shù)呢?
封裝技術(shù)的主要功能是完成電源分配、信號分配、散熱和保護(hù)等任務(wù) 。而隨著芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,推動著封裝技術(shù)也在不斷革新 。
而3D封裝技術(shù),簡單來說,就是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內(nèi),在垂直方向上疊放兩個或者更多芯片的技術(shù) 。
相較于傳統(tǒng)的封裝技術(shù),3D封裝縮小了尺寸、減輕了質(zhì)量,還能以更快的速度運轉(zhuǎn) 。
臺積電在年度技術(shù)研討會上表示,SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù),是一種晶圓對晶圓的鍵合技術(shù) 。SoIC的實現(xiàn),是基于臺積電已有的晶圓基底芯片(CoWoS)封裝技術(shù)和多晶圓堆疊(WoW)封裝技術(shù)所開發(fā)的新一代封裝技術(shù) 。
晶圓基底芯片(CoWoS),全稱叫Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一種將芯片、基底都封裝在一起的技術(shù) 。封裝在晶圓層級上進(jìn)行 。這項技術(shù)隸屬于2.5D封裝技術(shù) 。
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而多晶圓堆疊技術(shù),或者堆疊晶圓(WoW,Wafer on Wafer),簡單來說,就是取代此前在晶圓上水平放置工作單元的技術(shù),改為垂直放置兩個或以上的工作單元 。這種做法可以使得在相同的面積下,有更多的工作單元被放到晶圓之中 。

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