日本免费全黄少妇一区二区三区-高清无码一区二区三区四区-欧美中文字幕日韩在线观看-国产福利诱惑在线网站-国产中文字幕一区在线-亚洲欧美精品日韩一区-久久国产精品国产精品国产-国产精久久久久久一区二区三区-欧美亚洲国产精品久久久久

  1. 首頁 > 生活百科 > >

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

主板三星內(nèi)存條海力士

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片

一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩

文章圖片


DDR5 內(nèi)存售價暴降 80% ， 終于到了無腦下手的時候！
雖說 DDR5 已注定會成為接下來的主流 ， 但還是從評論區(qū)看到很多小伙伴兒留言表示：
家貧無以上新 ， 然含淚固守 DDR4 矣！

好家伙 ， 都說 PC 硬件換代革新是一場持久戰(zhàn) ， 這果然不假 。
那么本著順應(yīng)民意 ， 咱們今天就來給大伙兒分享下 DDR4 內(nèi)存有哪些門道 。
其實甭管 DDR4 還是 DDR5 咱們在選購時需要注意 ， 決定它性能最重要的核心只有一個 ， 那就是 DRAM 芯片 ， 也就是我們常說的內(nèi)存顆粒 。

DRAM 芯片對于一整條內(nèi)存權(quán)重就好比顯卡的 GPU 核心 。
盡管品牌旗艦定位和丐版顯卡用料、散熱規(guī)?？梢韵嗖罘浅＞薮?， 但只要采用了同一核心 ， 那他們實際性能差異往往不會超過 5% 。
不過哈 ， 高性能內(nèi)存條有無金屬馬甲以及良好的導(dǎo)熱條件對性能發(fā)揮同樣比較重要 。

回到 DRAM 芯片上 ， 它決定了內(nèi)存高頻潛力以及另一項關(guān)鍵參數(shù)——內(nèi)存時序 。
內(nèi)存頻率自然是越高越好 ， 內(nèi)存讀寫性能也會越強 。
而時序可以簡單理解為內(nèi)存操作響應(yīng)時鐘周期 ， 它決定了內(nèi)存的延遲 ， 時序越低延遲越低 。

特別是很多對內(nèi)存延遲敏感的游戲 ， 相同頻率不同時序的兩條內(nèi)存 ， 其游戲性能表現(xiàn)往往差距會相當(dāng)明顯 。
大伙兒呢只需重點關(guān)注 CL、TRCD、TRP 和 TRAS這四個時序參數(shù)即可 ， 它們通常用符號「-」隔開 。
例如咱們經(jīng)常在內(nèi)存宣傳界面看到的 17-18-18-36 即代表該內(nèi)存的主時序 。

既然內(nèi)存顆粒是決定內(nèi)存性能的關(guān)鍵 ， 老規(guī)矩依然給大家?guī)砹艘韵聼衢T DDR4 顆粒排行：

如果非要用一句話概括：DDR4 內(nèi)存顆?？煞謨蓚€陣容 ， 一個叫三星 B-die ， 一個叫其他 。
特挑三星 B-die 是毫無疑問斷檔式領(lǐng)先 ， 強大的超頻潛力與極低時序表現(xiàn)讓它穩(wěn)坐排行第一 。
3600MHz 頻率下 C14-14-14-28 只是它的基本盤 ， 手動超頻也能輕松做到 4000+ 頻率 C15-15-15-35 。

次一級的便是普通三星 B-die 顆粒 ， 不過遺憾的是這倆老哥已經(jīng)于數(shù)年前停產(chǎn) 。
目前市面搭載此顆粒的內(nèi)存已經(jīng)相當(dāng)罕見同時價格高的離譜 ， 不再具有性價比 。
而普通用戶能正常買到表現(xiàn)還不錯的顆粒包括國產(chǎn)長鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及鎂光 C9 系列 。
這些顆粒普遍具備 3600MHz 頻率 C18-19-19-38 的基本盤 ， 超頻也是能輕松做到 4000MHz 以上 。

第三梯隊三星 C-die、三星 D-die、南亞 A-die 等顆粒 ， 主打一個開 XMP 穩(wěn)定用 ， 不再具備多少超頻潛力 。
至于更多其他名不見經(jīng)傳的顆粒 ， 頻率、時序往往慘不忍睹 ， 不提也罷！
因此總結(jié)來說 ， 對于很多有一定動手能力的普通用戶來說 ， 搭載第二梯隊的海力士 CJR/DJR、鎂光 C9 等顆粒的 DDR4 內(nèi)存無疑是性價比不錯的選擇 。
同時 ， 搭載這些顆粒的內(nèi)存廠家一般會標(biāo)注出顆粒型號 ， 例如阿斯加特、光威、金百達(dá)、玖合等部分 DDR4 會直接標(biāo)明采用海力士 CJR 顆粒 ， 很好辨認(rèn) 。

沒詳細(xì)標(biāo)注的嘛 ， 大概率采用混發(fā)顆粒 ， 什么妖魔鬼怪都有 ， 純粹看臉抽獎了！
新內(nèi)存到手 ， 很多小白用戶在上機檢查沒問題后便直接默認(rèn)開用 ， 這其實存在一個很大的誤區(qū) 。
因為主機電腦為了廣泛兼容性 ， 通常會以 DDR4 初始頻率 2400 或 2666MHz 默認(rèn)運行 。
【一招白嫖30%+性能，100%榨干內(nèi)存條潛力，一滴不剩】
而目前 DDR4 普遍支持 XMP（出廠前預(yù)寫入一套超頻文件） ， 如果上機不開啟 XMP 相當(dāng)于白白損失性能 。
開啟方法也很簡單 ， 咱們只需在開機時按 Bios 啟動快捷鍵進(jìn)入主板 Bios（御三家主板普遍為 Del 鍵 ， 其他主板也可根據(jù)型號上網(wǎng)查詢） 。
然后在 Bios 主界面或高級選項中打開 XMP ， 最后按 F10 保存退出即可 。

例如我手上的 16G*2 海力士 CJR 顆粒 DDR4 內(nèi)存 ， 默認(rèn)頻率為 2400MHz ， 時序 C17-17-17-39 。
此時用 AIDA64 內(nèi)存測試工具測得 ， 內(nèi)存讀/寫在 36000-37000MB/s 左右 ， 延遲 80ns 左右 。

開啟 XMP 后 ， 頻率為 3600MHz ， 時序 C16-20-20-38 ， 內(nèi)存電壓 1.4V 。
此時讀/寫在 53000-55000MB/s 左右 ， 延遲 60ns 左右 。

可以看到 ， 內(nèi)存讀寫性能提升高達(dá) 40% 以上 ， 同時延遲降低了 30% 以上 。
如果樂意動手對內(nèi)存超個頻還有更大提升 。
以我手上這塊華碩 B660 重炮手主板為例 ， 進(jìn)入 Bios 后關(guān)閉 XMP ， 按 F7 進(jìn)入高級選擇 ， 點開 Ai Tweaker 頁面；
我們首先將內(nèi)存比率模式調(diào)整為 1∶1 也就是 G1 不分頻模式；

然后調(diào)整內(nèi)存頻率 ， 這個根據(jù)大伙兒內(nèi)存顆粒來選擇 ， 如果是上圖第二梯隊顆?；旧?4000MHz 沒啥毛?。 ?
咱手中 CJR 顆粒經(jīng)過嘗試調(diào)整為 4200MHz；

下拉找到內(nèi)存電壓選項 ， 手動設(shè)置放寬至 1.45V；

內(nèi)存電壓需根據(jù)內(nèi)存顆粒、頻率、時序和體質(zhì)來綜合選擇 ， 常規(guī)內(nèi)存不建議超過 1.45V ， 過高電壓會導(dǎo)致發(fā)熱增加甚至燒毀風(fēng)險 。
當(dāng)然 ， 三星 B-die 顆粒是出了名的相對比較耐高壓 ， 可適當(dāng)放寬至 1.5V 。
接著返回上拉找到內(nèi)存時序選項；

將第一時序放寬至 C19-22-22-42 ， 并將 DRAM Command Rate 選項調(diào)整為 2N ， 其他選項不用動；

時序的調(diào)整同樣需要根據(jù)不同顆粒、頻率和體質(zhì)來決定 ， 海力士 CJR 為了穩(wěn)定可以考慮設(shè)置為內(nèi)存電壓 1.45V、頻率 4000MHz ， 時序 C19-22-22-42 。
以上選項修改完成后按 F10 保存重啟 。
再次測試 ， 此時內(nèi)存讀/寫進(jìn)一步提升至 62000MB/s 左右 ， 延遲來到 54ns 左右 。

當(dāng)然了 ， 如果愿意花時間折騰 ， 對內(nèi)存頻率、時序進(jìn)行優(yōu)化 ， 同時壓緊第一時序后的小參 ， 內(nèi)存性能和延遲表現(xiàn)提升還會更加明顯 。
另外 ， 記得超頻后結(jié)合內(nèi)存烤雞工具 TM5 測試內(nèi)存穩(wěn)定性哦！

電腦硬件如 CPU、顯卡、內(nèi)存條在合理范圍內(nèi)超頻 ， 可獲得一部分額外性能的同時不會對硬件造成損壞 。
但需要注意 ， 任何超頻行為都會伴隨著一定風(fēng)險 ， 因此對于小白用戶強烈建議多學(xué)習(xí)掌握相關(guān)知識后再進(jìn)行操作 。

    推薦閱讀