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輸出側(cè)設(shè)有三顆固態(tài)電容 ， 其中兩顆焊接在平面變壓器的PCB上 。
電路板鏤空放置平面變壓器磁芯 ， 用以降低整體厚度 。
使用游標(biāo)卡尺測(cè)量充電器主板長(zhǎng)度約為50mm 。
寬度約為49mm 。
厚度為23.4mm 。
PCB板正面一覽 ， 平面變壓器磁芯套有塑料殼絕緣 ， 居中是PFC電感 。
PCB板背面一覽 ， 充電器初次級(jí)分明 ， 兩顆光耦橫跨初次級(jí) 。
通過對(duì)充電器正背面電路分析發(fā)現(xiàn) ， 小米120W氮化鎵快充充電器內(nèi)部采用PFC升壓后為QR反激開關(guān)電源供電 ， 由協(xié)議芯片控制 ， 根據(jù)負(fù)載需求 ， 輸出寬范圍電壓 。
輸入端一覽 ， 連接導(dǎo)線壓線卡焊接固定 。黑色熱縮管套住的藍(lán)色元件是壓敏電阻 ， 用于輸入過壓保護(hù) ， 平面變壓器PCB板兩側(cè)分布著多顆高壓電解電容 。
輸出端平面變壓器小板焊接兩顆固態(tài)電容 ， 節(jié)省PCB面積 ， 充分利用空間 。主PCB板上還焊接了一顆固態(tài)電容 ， 三顆電容用于輸出濾波 。USB-C母座橙色膠芯 ， 右側(cè)兩顆Y電容 。
可以看到Y(jié)電容 ， 共模電感 ， X電容和輸入保險(xiǎn)絲 。保險(xiǎn)絲套熱縮管絕緣保護(hù) 。
這一側(cè)主要是平面變壓器和一顆藍(lán)色Y電容 。
將主板正面元件全部拆除 ， 可見設(shè)有一顆整流橋、一顆氮化鎵功率器件以及一顆協(xié)議芯片 。
輸入端保險(xiǎn)絲特寫 ， 采用熱縮管包裹絕緣 。
壓敏電阻 ， 用于充電器輸入端過壓保護(hù) 。在交流輸入超過安全電壓時(shí) ， 壓敏電阻導(dǎo)通 ， 熔斷保險(xiǎn)絲 ， 確保后級(jí)元件安全 。
NTC浪涌抑制電阻 ， 用于減小接入電源的浪涌電流 。
共模電感采用熱縮管包裹絕緣 。
另外一級(jí)共模電感 ， 采用扁平銅帶繞制 。
安規(guī)X電容容量0.33μF 。
輸入端整流橋絲印LMB10L30 。
正面這顆同型號(hào)的整流橋 ， 使用兩顆均攤發(fā)熱 。
薄膜電容 ， CBB21 ， 1μF 450V 。
另外一顆薄膜電容 ， CBB21 ， 0.68μF 450V 。
用于濾波的磁環(huán)電感 。
輸入端PFC控制器采用矽力杰SY5072B ， 運(yùn)行在臨界模式 ， 采用恒定導(dǎo)通時(shí)間運(yùn)行 ， 內(nèi)置的升壓轉(zhuǎn)換器采用準(zhǔn)諧振開關(guān)以獲得高效率及優(yōu)化EMI性能 。
主板正中為PFC升壓開關(guān)管采用的是納微NV6134 ， 這是一顆集成了驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的氮化鎵功率芯片 ， 散熱升級(jí) ， 采用更大的散熱焊盤優(yōu)化溫升 ， 此前該芯片已被聯(lián)想YOGA 65W雙口快充采用 。
納微NV6134是納微第三代氮化鎵芯片 ， 擁有更強(qiáng)大的電氣保護(hù)性能 ， 響應(yīng)速度相比之前要快三倍 。相比于分立的氮化鎵芯片/器件設(shè)計(jì)（Discrete GaN designs） ， 納微GaNFast氮化鎵芯片具有10倍更高的靜電耐壓 。
納微半導(dǎo)體GaNFast第三代技術(shù)的芯片 ， 集成度非常高 ， 不僅集成了功率芯片 ， 還包括了保護(hù)電路 ， 驅(qū)動(dòng)電路和邏輯電路 ， 相對(duì)其他芯片集成度更高 ， 散熱溫控效果更好 ， 轉(zhuǎn)化效率也非常好 。
充電頭網(wǎng)拆解了解到 ， 納微半導(dǎo)體的氮化鎵功率芯片此前已被聯(lián)想、華碩、努比亞、雷柏、小米、OPPO、RAVPOWER、貝爾金、摩米士、柚比等國(guó)內(nèi)外數(shù)十個(gè)品牌的氮化鎵快充產(chǎn)品所采用 。
PFC升壓電感特寫 。
ES5JCR快恢復(fù)二極管 ， 用于PFC整流 。
LFB3MF二極管 ， 用于初級(jí)電解電容充電 。

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