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瑞薩推出業(yè)界首款內(nèi)存接口芯片組

瑞薩推出業(yè)界首款內(nèi)存接口芯片組
瑞薩電子宣布針對第二代DDR5多重存取雙列直插模組(Multi-Capacity Rank Dual In-Line Memory Modules MRDIMM) , 提供業(yè)界首款完整的存儲器介面芯片組解決方案 。
新款DDR5 MRDIMM需要跟上AI、高效能運算(HPC)和其他數(shù)據(jù)中心應用中不斷提高的存儲頻寬需求 。
速度高達每秒12800百萬傳輸(MT/s) , 與第一代相比 , 頻寬提高了1.35倍 。

瑞薩與CPU和存儲供應商等業(yè)者以及終端客戶合作 , 在新款MRDIMM的設計、開發(fā)和部署方面發(fā)揮了重要作用 。
瑞薩設計并更新了三個新的關鍵元件:RRG50120第二代多工暫存時脈驅(qū)動器(MRCD)、RRG51020第二代多工資料緩沖器(MDB)和RRG53220第二代電源管理IC(PMIC) 。
瑞薩提供量產(chǎn)的溫度感測器(TS)和串列存在檢測(SPD)集線器解決方案 , 成為目前唯一可以為下一代產(chǎn)業(yè)標準MRDIMM提供完整芯片組解決方案的存儲器介面公司 , 也支持其他各種服務器和客戶端DIMM 。
由于人工智能和高效能運算應用的發(fā)展 , 對高效能系統(tǒng)的需求是很強烈的 。
瑞薩提供的技術(shù)知識和生產(chǎn)能力可滿足前所未有的需求 。
瑞薩的RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM , 以緩沖命令地址(CA)匯流排、芯片選擇以及主機控制器和DRAM之間的時脈 。
與第一代元件相比 , 功耗降低了45% , 而這正是超高速系統(tǒng)中針對熱管理的關鍵規(guī)格 。
RRG51020第二代MDB是MRDIMM中使用的另一個關鍵元件 , 用于將資料從主機CPU緩沖到DRAM 。
瑞薩新MRCD和MDB均支持最高12.8 Gbps的速度 。
此外 , 瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供業(yè)界最佳的電氣過應力保護和卓越的電源效率 , 并針對大電流和低電壓運作進行了最佳化 。
【瑞薩推出業(yè)界首款內(nèi)存接口芯片組】瑞薩目前已提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品 , 新產(chǎn)品預計2025年上半年量產(chǎn) 。

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