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芯旺微電子,行業缺芯怎么破

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【芯旺微電子,行業缺芯怎么破】上海微電子能在2025年前攻克7nm光刻機嗎？

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這是一個誤區，其實生產28納米芯片和7納米芯片的光刻機可以是同一種光刻機，只是使用光刻機的方式有變化而已 。臺積電昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻機，生產出來了從28納米到7納米的所有芯片 。只不過現在有了EUV光源的光刻機，在生產7納米芯片時效率更高，于是臺積電就在許多工序改用了EUV光刻機，但并不是說浸入式ArF光源的DUV光刻機就不被使用到7納米芯片工藝的工序中了 。
如此一來，這個問題就簡化成為，只要上海微電子攻克了生產28納米的光刻機，理論上來說，通過工藝改進，不計成本的話，7納米芯片也是可以被生產出來的 。這理論上也算是攻克了7納米的工藝吧 。所以問題就變成了2025年前攻克28納米光刻機的可能性了 。真正7納米芯片的工藝問題是代工廠的責任，探索臺積電已經走過的技術路線，用浸入式ArF光源的DUV光刻機的多次曝光工藝來生產7納米芯片 。
這就不是我們今天討論的關鍵了 。很顯然，2021年就不用指望了 。因為上海微電子的28納米光刻機沒有達到合格標準，需要2022年繼續努力了 。但即便2022年這臺光刻機達到了標準，獲得了通過，也還有一個嚴峻的問題擺在了上海微電子面前 。那就是浸入式ArF光源的問題 ?，F在這臺樣機的光源，用的是日本進口的浸入式ArF光源 。
那么，在日后量產的時候，這個光源能不能穩定供貨就是一個重大問題了 。國內光源提供商“科益虹源”，已經拿出來了40w 4kHz ArF光源的樣機，但主流的ArF浸沒式光刻機需要60w 6kHz等級的光源，所以也就是說國內的光源目前還沒辦法代替進口光源了 。至此，這臺上海微電子的樣機能不能變成批量生產的產品就非常不確定了，因為關鍵子系統還處于攻關當中，無法確認研發出子系統的時間節點 。
也就是說，現在上海微電子的這臺28納米光刻機，就是走的殲20路子 。時間不等人，殲20就不等渦扇15發動機了，先用進口的俄羅斯AL-31F發動機頂上用著 ?，F在上海微電子可不就是先用日本光源頂上用著嘛 。至于中國自己的光源，就等著啥時候能研發出來吧 。以目前的國際大環境，殲20如果還想用俄羅斯發動機，就還是能找到貨源的 。
但中國如果想獲得一個穩定的浸入式ArF光源的難度有多大？我想大家都明白 。所以，這個浸入式ArF光源的緊迫性，甚至遠遠超過對渦扇15的需求，就肯定沒錯了 。也就是說，哪怕2022年，上海微電子攻克了這個28納米光刻機技術，但橫在量產前面的光源問題，能不能在2025年前解決呢？我想沒人知道吧 ?，F在科益虹源的官網網站都打不開了，所以沒人知道他們的進展如何了，現在網上真是一個字兒都沒有 。
中芯國際78億買來低端光刻機，高端光刻機國產化還需多久？
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中芯國際購買的是ASML第四代產品，也就是深紫外光刻機，技術上與ASML極紫外光刻機有云泥之別 。ASML光刻機目前已發展到第五代，最小工藝是正在向5nm甚至3nm邁進 。從圖中可知由上海微電子研制的國產光刻機目前水平實際上已經達到了ASML第四代水平 。預計今年底能夠上市銷售 。也正因為這個原因ASML公司已經于去年降價促銷其DUV光刻機，目的是要把國產光刻機封殺于搖籃中 。
ASML最頂級光刻機采用了極紫外光刻機EUV技術，這是1997年Intel和美國能源部共同成立發起的EUV-LLC聯盟，匯集了美國三大國家實驗室并聯合了摩托羅拉和AMD等企業數百位頂尖科學家共同研制此技術 。當時尼康和ASML也申請加入被美國政府拒絕，最后ASML表達了忠心和讓步后才獲準加入 。但是日本尼康被排除了，因為那時美國正在打壓日本的半導體產業，如今中國取代日本遭到美國打壓 。

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