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“石墨烯”再立功！有了石墨烯芯片，是否不用光刻機(jī)了？

是的。轉(zhuǎn)中科院專家表示，目前硅材料芯片的極限制程差不多是在2nm到1.5nm，再往小做就很難了，因?yàn)閾p耗非常大，而且危險(xiǎn)系數(shù)很高，ASML也到極限了，暫時(shí)無法攻克這個(gè)難題，所以現(xiàn)在急需一個(gè)替代品。那碳基芯片來的正是時(shí)候，因?yàn)樗母?、效率更高，一旦碳基芯片投入使用，那意味著光刻機(jī)將不再重要了，中國(guó)芯片將有望架空ASML，突破西方的科技封鎖。
石墨烯芯片問世，比傳統(tǒng)芯片小100倍，你知道石墨烯是啥嗎？

石墨烯二維材料，只有長(zhǎng)與寬。用石墨稀制做芯片難度很大，目前，世界上屬于前言半導(dǎo)體材料科學(xué)研究課題。芯片，指半導(dǎo)體集成電路，微電路，亦稱薄膜微電路。按摩爾定律芯片中微電子管數(shù)量每1.5年增加一倍，半導(dǎo)體芯片更新進(jìn)入5G，芯片承載微電子管的密度越來越大，半導(dǎo)體傳統(tǒng)材料承載量快要超過極限。尋找半導(dǎo)體純度替代材料，是世界半導(dǎo)體材料科學(xué)界理論研究和應(yīng)用研究追蹤前言的重大科技創(chuàng)新項(xiàng)目。
按半導(dǎo)體材料發(fā)展過程，分為四代半導(dǎo)體材料階段，分別為：1 .第一代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺（Ge）元素的半導(dǎo)體；它們半導(dǎo)體分立器、集成電路和太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料；2 .第二代半導(dǎo)體材料包括磷化鎵、磷化銦、砷化鎵、砷化銦、砷化鋁及合金，玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體材料等；3.第三代半導(dǎo)體材料主要有碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（Al N）為代表的寬禁帶。
4 .第四代半導(dǎo)體材料指量子（阱、點(diǎn)、線）、超晶格微結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料。關(guān)于石墨稀芯片屬于第四代芯片新增加微結(jié)構(gòu)材料范疇（有待商確）。微結(jié)構(gòu)材料尺寸在1~3個(gè)維度上降低至nm量級(jí)，亦稱納米半導(dǎo)體材料或量子工程材料。英國(guó)半導(dǎo)體材料研究學(xué)術(shù)界實(shí)驗(yàn)一種“光流控波導(dǎo)系統(tǒng)”的設(shè)計(jì)，基于流體成分CMOS光子平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了三維光子微結(jié)構(gòu)形成。
這項(xiàng)前言科技創(chuàng)新項(xiàng)目，對(duì)于新一代可再生能源、安全、國(guó)防技術(shù)提升具有劃時(shí)代意義。目前，石墨稀己知導(dǎo)電性能是最出色的非金屬材料。常溫條件下下電子遷移率超過1500cm2/v.S，比碳納米管效果更好，電阻率只有約10~6歐姆.平方厘米。石墨烯材料電子能極為高效，電子能損耗幾乎為零。1mm石墨烯就有3000萬層！是最好的導(dǎo)電材料，石墨烯芯片dram通過電容實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)的內(nèi)存芯片，還有運(yùn)算，處理，解碼功能的邏輯電路。
【華為公開石墨烯晶體管專利,石墨烯芯片】石墨烯芯片一但研究成功，應(yīng)用于各行各業(yè)，效果將是傳統(tǒng)芯片的一千倍！誰(shuí)掌握了石墨烯芯片制造技術(shù)誰(shuí)將掌握芯片制造未來規(guī)則的制定。石墨烯芯片制造技術(shù)實(shí)際就是在傳統(tǒng)芯片材料的一次工業(yè)革命！工藝技術(shù)的根本就是材料，科技創(chuàng)新就是材料創(chuàng)新。石墨烯芯片研發(fā)我國(guó)剛剛起步，在點(diǎn)上有所突破（中科院），還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到應(yīng)用技術(shù)要求。