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美光推出業界最高密度太空抗輻射 SLC NAND

航天閃存美光

美光推出業界最高密度太空抗輻射 SLC NAND

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美光近期發布一款通過太空認證的 256Gb 單級單元（SLC）NAND 閃存 ， 堪稱業內同類型中密度最高的抗輻射產品 。

美光新款太空級 SLC NAND 閃存
這款全新存儲產品 ， 是美光擴充航天產品線后的首款力作 。 該產品線未來還將涵蓋更多適用于太空任務的 NAND、NOR 及 DRAM 解決方案 。 憑借此產品 ， 美光成為首家能提供該密度級別太空認證 NAND 的主流存儲制造商 。
面向航天領域的256Gb SLC NAND美光這款 256Gb SLC NAND 閃存 ， 專為嚴苛的軌道部署環境量身打造 ， 集成多項特性以滿足極端環境與運行的嚴苛要求 。 其采用成熟可靠的工藝節點制造 ， 在實現高容量的同時 ， 具備商用存儲產品中罕見的抗輻射性能 。
該 NAND 閃存配備 8 位 I/O 總線 ， 可同時支持異步與同步接口 。 在同步模式下 ， 能達到時序模式 5 ， 時鐘周期為 10ns DDR ， 每引腳數據傳輸速率高達 2 億次 / 秒 。 存儲性能參數方面 ， 最大頁面讀取時間為 35μs ， 典型頁面編程時間為 350μs ， 典型塊擦除時間為 1.5ms 。
抗輻射性能通過了美國國家航空航天局（NASA）PEM-INST-001 二級認證流程驗證 ， 包括低劑量率下的總電離劑量（TID）測試 ， 以及符合 JEDEC JESD57 和 ASTM F1192 標準的單粒子效應（SEE）測試 。 美光還驗證了該器件在 - 55°C 至 + 125°C 區間歷經 20 次溫度循環后的熱穩定性；而在 85°C 下進行的長期老化測試 ， 進一步保障了其長期運行的穩定性 。
該產品采用 100 球有鉛 LBGA 封裝 ， 尺寸為 12mm×18mm×1.4mm ， 并運用聚酰亞胺工藝提升封裝的結構完整性 。
星載NAND 的抗輻射設計對于太空用存儲器件而言 ， 抗輻射能力是不可或缺的核心設計要求 。 與地球電子設備受大氣層保護不同 ， 太空電子設備長期暴露于太陽耀斑和宇宙射線的高能粒子中 ， 這些粒子可能導致材料性能退化、電路功能紊亂 。 軌道環境中的 NAND 器件主要面臨兩大挑戰：總電離劑量（TID）和單粒子效應（SEE） 。
總電離劑量（TID）指電離輻射隨時間累積的能量沉積 。 在閃存中 ， 這會逐漸改變晶體管閾值電壓 ， 最終引發讀寫故障 。 工程師可通過優化氧化層厚度和摻雜分布（經 MIL-STD-883 TM1019 Condition D 工藝驗證） ， 有效緩解總電離劑量的影響 。

美光采用的驗證測試流程
單粒子效應（SEE）是指高能粒子直接撞擊半導體節點引發的效應 ， 可能導致瞬時位翻轉（軟錯誤） ， 嚴重時甚至造成永久性閂鎖 。 SLC 架構在此方面優勢顯著 ， 其位單元結構更簡單 ， 與多級單元相比 ， 單個單元的脆弱性更低 。 通過單粒子效應特性分析 ， 工程師可精準確定安全工作余量 ， 并針對性地部署糾錯方案 。
為應對這些挑戰 ， 企業需遵循嚴格的認證流程 ， 模擬軌道輻射環境、驗證組件壽命 ， 并為系統級防護策略提供依據 。 這些流程通常包括熱循環測試、動態老化測試 ， 以及長達數月甚至一整年的全面輻射測試 。
軌道上的大容量邊緣智能應用【美光推出業界最高密度太空抗輻射 SLC NAND】美光 256Gb SLC NAND 閃存 ， 在太空存儲領域實現重大突破 ， 將抗輻射性能與高數據吞吐量、高密度完美融合 。 目前 ， 這款 256Gb SLC NAND 已面向航天客戶及系統開發商供貨 。 該公司計劃在未來一年 ， 持續推出更多通過太空認證的存儲與內存解決方案 。

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