1、CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成(單極性電路)，TTL為雙極晶體管構(gòu)成（雙極性電路）；
2、COMS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作；
3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差；
4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）；
5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)；
6、CMOS的噪聲容限比TTL噪聲容限大；
7、通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路 。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻阻數(shù)值 。電阻數(shù)值越大，工作速度越低 。
【ttl和cmos的區(qū)別】
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