【誓要拿下HBM訂單！三星半導(dǎo)體高層訪問NVIDIA：展示改良樣品】
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據(jù)韓國媒體報道 ， 三星電子半導(dǎo)體部門（DS）負(fù)責(zé)人全永鉉（Young Hyun Jun）上周親自前往美國英偉達(dá)總部 ， 展示了三星最新改良的1b DRAM樣品 。
英偉達(dá)曾在2024年要求三星改進(jìn)1b DRAM的設(shè)計 ， 以解決良品率和過熱問題 ， 此次全永鉉展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而進(jìn)行的改良成果 。
通常情況下 ， 三星DS部門負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見 ， 這也表明此次訪問的重要性 。
三星原本計劃使用1a DRAM（1b DRAM的前代產(chǎn)品）制造8層和12層HBM3E ， 并跳過1b DRAM直接使用1c DRAM制造HBM4 。
然而英偉達(dá)堅持要求使用1b DRAM ， 三星不得不重新調(diào)整計劃 ， 目前三星的競爭對手SK海力士已經(jīng)向英偉達(dá)供應(yīng)了12層HBM3E ， 美光也預(yù)計近期開始生產(chǎn)面向AI加速器的HBM 。
上個月 ， 三星表示其改良版HBM3E的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利 ， 并計劃于今年第二季度正式量產(chǎn)供貨 ， 全永鉉作為DRAM領(lǐng)域的專家 ， 主導(dǎo)了1b DRAM的設(shè)計改進(jìn)工作 。
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