【什么是igbt模塊】IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor) ， 是絕緣柵雙極型晶體管，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小 ， IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低 。
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