SRAM：靜態(tài)隨機訪問存儲器
一個SRAM存儲單元由4個晶體管和2個電阻器組成，利用晶體管的狀態(tài)切換來存儲數(shù)據(jù)，而不是電容器，因此讀數(shù)據(jù)時不存在漏電問題 ， 不需要刷新操作，但是由于SRAM需要的晶體管數(shù)多，因此成本高 。
DRAM：動態(tài)隨機訪問存儲器
一個DRAM存儲單元由1個晶體管和1個電容器組成，利用電容器存儲電量存儲電量的多少來存儲數(shù)據(jù)，由于電容器存在漏電問題，因此需要定期刷新 。讀數(shù)據(jù)時，電容量的電量會消失，因此每次訪問之后，也需要刷新 ， 以防止數(shù)據(jù)丟失 。
SDRAM：同步動態(tài)隨機訪問存儲器
同步是指Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準 。傳統(tǒng)的DRAM在兩個讀周期之間需要等待一段時間，用于充電操作 。而SDRAM一個模組有兩個bank,在對一個bank充電時，可以操作另一個bank,實現(xiàn)流水線 。
SDRAM的經(jīng)歷了多代的發(fā)展：分別是SDR SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM 。
DDR3:
2005年制造出DDR3的原型產(chǎn)品，2007年，市場開始使用DDR3內(nèi)存芯片 。
與DDR2相比 ， DDR3采用8bit預?。?因此提供更高的傳輸速率（2133MT/s）;更低的工作電壓（1.5v，DDR2工作電壓為1.8v），另外采用了不同的封裝工藝 ， 因此能耗更低 。
DDR4:
2011年，samsung宣布生產(chǎn)出第一個DDR4內(nèi)存模塊，2012年，samsung、Micron等開始量產(chǎn)DDR4 SDRAM芯片；
與DDR3相比，DDR4提供更高的時鐘頻率和傳輸速率（4166MT/s）;更低的工作電壓（1.05~1.2V），因此能耗更低 。
SRAM和DRAM區(qū)別？
RAM可分為靜態(tài)存儲器（Static Random Access Memory,SRAM）和動態(tài)存儲器（Dynamic Random Access Memory） 。SRAM中的存儲單元相當于一個鎖存器，只有0，1兩個穩(wěn)態(tài)；DRAM則是利用電容存儲電荷來保存0和1兩種狀態(tài)，因此需要定時對其進行刷新，否則隨著時間的推移，電容其中存儲的電荷將逐漸消失 。
SRAM：讀寫速度快 ， 生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲器 。
DRAM：讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲器 。
靜態(tài)存儲器與動態(tài)存儲器主要性能比較如下表：
【dram存儲器的中文含義是 dram存儲器的中文含義是】動態(tài)存儲器的定期刷新：在不進行讀寫操作時 ， DRAM 存儲器的各單元處于斷電狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容CS 上的電荷會慢慢地漏掉，為此必須定時予以補充，稱為刷新操作
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