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（驍龍855PLUS游戲?qū)崪y續(xù)航表現(xiàn)）
從三幅續(xù)航耗電圖上可以看到iPhone 11 Pro Max、華為Mate30 Pro以及vivo NEX3極限游戲測試的續(xù)航時間分別為388分鐘、476分鐘和454分鐘。如前面內(nèi)容所說，我們再度對這三組測出的數(shù)據(jù)進行計算，分別得出三款芯片在運行游戲時單位時間內(nèi)的平均功耗為：
A13：4000mAh/388min*3.7V=38.14mW
麒麟990：4500mAh/476min*3.7V=34.98mW
驍龍855PLUS：4500mAh/454min*3.7V=36.67mW
通過單位功耗來看，依然滿足在幀率測試部分的推論，功耗方面依然是A13最大，其次為驍龍855PLUS，功耗表現(xiàn)最出色的則是麒麟990芯片 ?？梢娫谛阅芤约肮目刂频确矫?nbsp;，華為的麒麟990尋找到了一個很好的平衡點，在保證性能得到最佳輸出的前提下，讓功耗控制得到了一個最佳的表現(xiàn) 。
另外，能夠一定程度上左右手機性能表現(xiàn)的還有手機的溫度，我們都知道的一個道理是：手機在使用時SoC運行會產(chǎn)生熱量，而熱量的堆積會反之影響到SoC的正常運行，嚴重的還可能會對硬件造成不可逆的損害。相信使用過蘋果前兩年的產(chǎn)品iPhone X和iPhone XS系列的用戶都經(jīng)歷過印象深刻的降頻門事件，導(dǎo)致這種情況的原因就是由于iPhone X和iPhone XS兩大系列手機在散熱結(jié)構(gòu)上采用了并不不合理三明治結(jié)構(gòu)，使得SoC芯片像三明治一樣被緊緊的夾在了中間，導(dǎo)致熱量極難被散發(fā)出去，因此最終高溫的堆積導(dǎo)致了SoC芯片在運行一段時間后開始出現(xiàn)降頻，而在玩游戲時最直觀的體驗就是：手機機身發(fā)熱嚴重、手機屏幕亮度突降以及卡頓感出現(xiàn) 。
在進行游戲測試時，我們也分別對三款手機的機身熱度進行了測量，測量時間共分為四次，分別在測試之前、測試開始30分鐘時、測試開始1小時以及測試開始2小時，三款手機的機身最熱溫度數(shù)據(jù)如下：

從圖上我們可以看到：三款手機在起始溫度上相差并不大，在游戲進行到30分鐘時，三款手機的機身溫度都出現(xiàn)了非常明顯的升溫。其中iPhone 11 Pro Max的升溫速度最快，機身最高溫度儼然已經(jīng)達到了44.9度，而搭載了麒麟990和驍龍855PLUS的華為Mate30 Pro以及vivo NEX3則分別是37.6度和38.5度；
在游戲進行到60分鐘時，三款手機的溫度繼續(xù)提升，iPhone 11 Pro Max提升至了45.6度，華為Mate30 Pro和vivo NEX3分別是37.6度以及38.5度；
不過在游戲進行到120分鐘也就是2小時的時候，再次對三款手機進行溫度測試時卻出現(xiàn)了有趣的現(xiàn)象，從數(shù)據(jù)上我們可以非常直觀的看到：在120分鐘時，iPhone 11 Pro Max的升溫趨勢基本已經(jīng)趨平，不過機身溫度還是提升了0.6度達到了46.2度，而華為Mate30 Pro以及vivo NEX3這兩部手機的機身溫度在此時反而出現(xiàn)了下降，兩款手機的溫度分別是38.1度和38.7度，相較于60分鐘時的數(shù)據(jù) ，分別降低了0.3度和0.5度。

其實出現(xiàn)這樣的情況，與手機的散熱設(shè)計有著比較大的關(guān)系，iPhone 11 Pro Max在散熱結(jié)構(gòu)上依舊沒有設(shè)計額外的散熱組件，這就導(dǎo)致了晶體管數(shù)量暴增至85億個的A13成為了一個名副其實的大火爐，散熱不佳的問題導(dǎo)致的功耗陡增的情況依然存在。