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臺(tái)積電再度突破！華為、中科院陷入沉思，彎道超車要失敗了？
芯片技術(shù)起源于歐美地區(qū)，這也導(dǎo)致大量的核心技術(shù)被壟斷，這也促使美西方國(guó)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著絕對(duì)的話語(yǔ)權(quán)，此前我國(guó)過(guò)度迷信“全球化合作”，在華為突破之后，被美國(guó)的“芯片規(guī)則”給上了一課。
在完成5G的彎道超車后，華為遭到了美國(guó)的“特殊照顧”，逐步失去含美技術(shù)體系的合作，臺(tái)積電的斷供讓麒麟芯片暫時(shí)停產(chǎn)，后續(xù)只能依靠庫(kù)存的芯片維持各項(xiàng)業(yè)務(wù)開(kāi)展。
【臺(tái)積電再度突破！華為、中科院陷入沉思，彎道超車要失敗了？】

面對(duì)這樣的背景，余承東曾公開(kāi)表態(tài)：“后悔只從事芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)，沒(méi)有參與到全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)研發(fā)！”但華為并沒(méi)有放棄絲毫的希望，不斷的加大對(duì)海思半導(dǎo)體的投資，終究是不負(fù)眾望完成了突破。
在Mate 60發(fā)布后，麒麟9000S迎來(lái)了回歸，經(jīng)過(guò)彭博社的證實(shí)至少是7nm的工藝，而美國(guó)至今都還沒(méi)弄清楚芯片的由來(lái)，這也算是國(guó)產(chǎn)芯片階段性的勝利，但顯然要想完成彎道超車，還得聚焦于新賽道硅光芯片。

華為、中科院等等頂尖科研機(jī)構(gòu)，一直嘗試?yán)谩肮韫庑酒睂?shí)現(xiàn)趕超，早在2018年華為就展示了首個(gè)硅光芯片樣品，但后續(xù)也沒(méi)有聲音了，沒(méi)曾想近期臺(tái)積電傳出了突破的消息，是否意味著我們要失敗了呢？
臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)突破在2018年樣品展出后，華為還專門申請(qǐng)了硅光芯片的技術(shù)專利，但可惜之后美國(guó)的限制打壓隨之而來(lái)，在芯片層面的研發(fā)自然受到了很大影響，以至于五年時(shí)間過(guò)去了，基于硅光芯片層面，并沒(méi)有拿出舉世矚目的成果。
同樣中科院也在硅光芯片注入了很大的精力，期間也傳出了很多突破的消息，但無(wú)奈基本上都是以訛傳訛的假消息，整體來(lái)講并沒(méi)有引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的突破，我們想著利用硅光芯片完成彎道超車，其它國(guó)家和地區(qū)自然也沒(méi)少下功夫。

其中最具代表性的就是谷歌以及臺(tái)積電了，谷歌在2015年就發(fā)布了硅光芯片樣品，足足比華為早了三年的時(shí)間，但時(shí)至今日依然沒(méi)有進(jìn)一步成果，這也更加證實(shí)了研發(fā)“硅光芯片”的難度。
就在眾人放棄念想之際，臺(tái)積電官宣了好消息，其表態(tài)將攜手博通、英偉達(dá)等大客戶共同參與硅光子技術(shù)、光學(xué)共封裝等新技術(shù)研發(fā)，整體的制程工藝限定在45nm-7nm，目前已經(jīng)進(jìn)入到技術(shù)驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)明年下半年就能夠接收訂單， 2025年完成成熟的量產(chǎn) 。

臺(tái)積電公布的數(shù)據(jù)相當(dāng)完整，很大概率已經(jīng)解決了硅光芯片的生產(chǎn)問(wèn)題，這也讓華為、中科院等直接陷入了沉思，在2025年之前要是沒(méi)有對(duì)應(yīng)的消息傳出，很可能就意味著彎道超車計(jì)劃失敗了，而臺(tái)積電也將成為唯一能夠制造硅光芯片的企業(yè) 。
雖然臺(tái)積電算是一家中企，但無(wú)法擺脫含美的技術(shù)，明面上的問(wèn)題無(wú)法妥善解決的話，是很難幫助到中國(guó)半導(dǎo)體的，并且有可能成為國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展的絆腳石，核心技術(shù)專利一旦再度被掌控，這條路就很難走下去了。

真正算起來(lái)的話，硅光芯片并不算完全脫離于傳統(tǒng)的集成電路，而是為了突破摩爾定律引導(dǎo)出的新路線，如果補(bǔ)充通道也被美西方說(shuō)掌控，那么基于硅基的芯片產(chǎn)業(yè)，或許真就沒(méi)有我們什么事了，我們要正確對(duì)待客觀的事實(shí)，不能一直沉浸于自嗨當(dāng)中。