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國外分析一個(gè)月:麒麟9000s即是14納米也是7納米,也可以是5納米

【國外分析一個(gè)月:麒麟9000s即是14納米也是7納米,也可以是5納米】華為Mate60系列面世之后 , 引發(fā)了外界的廣泛猜想,其中令所有人都沒有想到的就是麒麟9000s芯片 。因?yàn)槿A為在沒有任何征兆的情況下,發(fā)布了搭載麒麟9000s芯片的華為Mate60系列,所以外界都非常關(guān)心,華為的麒麟9000s芯片到底是什么來頭 。

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另外國外多個(gè)實(shí)驗(yàn)室都在第一時(shí)間拿到了華為Mate60手機(jī),并且對手機(jī)進(jìn)行拆解,想要弄清楚麒麟9000s芯片到底采用的是什么工藝制造,性能到底如何 。而麒麟9000s的工藝水平之高讓國外媒體直接傻眼 , 因?yàn)轺梓?000s芯片既可以被看作是14納米的芯片,同時(shí)也可以被看成是7納米或者5納米的芯片 。
為什么這么說呢,讓我們繼續(xù)看下文 。
國外分析一個(gè)月:麒麟9000s即是14納米也是7納米,也可以是5納米


制造7納米制程的芯片需要借助高精度、高難度的技術(shù)手段,其中包括極紫外光刻(EUV)技術(shù)、電子束光刻(EBL)技術(shù)、離子束刻蝕(IBE)技術(shù)等 。這些技術(shù)不僅要求長期的研發(fā)和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,還需要具備高水平的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備 。在這個(gè)背景下,麒麟9000s芯片的制造確實(shí)存在許多未知因素,特別是沒有明確的信息透露其采用了7納米工藝制造 。
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這也引發(fā)了關(guān)于麒麟9000s的制造工藝的猜測和討論 。畢竟,芯片的制程工藝對于性能和功耗都有著重要影響,而制程的細(xì)節(jié)通常是處理器制造商的商業(yè)機(jī)密 。因此 , 確切的制程信息通常需要由芯片制造商正式公布 。鑒于麒麟9000s的制造背后的保密性,目前無法確定它是否采用了7納米工藝,但它無疑是華為在芯片領(lǐng)域的一項(xiàng)重要突破,展示了華為在半導(dǎo)體技術(shù)方面的實(shí)力 。
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而麒麟9000s采用的N+2工藝制造,和某芯國際的14納米制造工藝類似,所以外界普遍認(rèn)為麒麟9000s芯片是14納米工藝制造,但是采用的多重曝光制造方式 。而多重曝光方式制造之后,可以增加晶體管的數(shù)量 。比如TechInsights機(jī)構(gòu)對麒麟9000S進(jìn)行了電鏡掃描,得出晶體管密度為98MTr/mm2,相當(dāng)于0.98億個(gè)每平方毫米 。
麒麟9000s芯片之所以被認(rèn)為是一款等效于7納米工藝的芯片,是因?yàn)樗诰w管密度方面表現(xiàn)出色 。通常來說,晶體管密度是衡量芯片制程工藝的一項(xiàng)重要指標(biāo),更高的晶體管密度意味著更多的晶體管可以在芯片上容納,從而提供更好的性能和功耗表現(xiàn) 。
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舉例來說,臺積電的7納米工藝時(shí)的晶體管密度為97MTr/mm2 , 而三星的7納米工藝則為95MTr/mm2 。而麒麟9000s芯片的晶體管密度高達(dá)98MTr/mm2,與臺積電和三星的7納米芯片工藝相媲美,非常接近 。這意味著,盡管麒麟9000s芯片的具體制程工藝沒有公開,但從晶體管密度的角度來看,它在性能和功耗方面可能達(dá)到了與7納米工藝相當(dāng)?shù)乃?,顯示了華為在半導(dǎo)體制程技術(shù)方面的突破 。這也是為什么它被稱為“等效7納米”的原因 。
14納米工藝經(jīng)過技術(shù)升級,工藝參數(shù)基本沒變 , 但生產(chǎn)出來的芯片其晶體管密度達(dá)到了7納米芯片的密度,它還是14納米工藝么?你可以認(rèn)為是14納米,也可以認(rèn)為是7納米 。
國外分析一個(gè)月:麒麟9000s即是14納米也是7納米,也可以是5納米


當(dāng)然除了制造工藝和芯片的晶體管密度之外,芯片的性能往往也會成為劃分的標(biāo)準(zhǔn)之一 。比如麒麟9000s芯片的性能根據(jù)外界的測試 , 普遍認(rèn)為和高通驍龍888芯片一致,而高通驍龍888芯片是一枚5納米工藝的芯片,如果從性能上來劃分 , 麒麟9000s也可以被看成是一枚5納米的芯片 。

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