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離子晶體熔沸點(diǎn)比較 離子晶體熔沸點(diǎn)比較方法是什么

【離子晶體熔沸點(diǎn)比較 離子晶體熔沸點(diǎn)比較方法是什么】離子晶體的熔沸點(diǎn)是根據(jù)離子所帶的電荷數(shù)來(lái)比較的,離子所帶的電荷數(shù)越高 , 離子的半徑就越?。?則該離子的熔沸點(diǎn)就越高 。
一般來(lái)說(shuō) , 晶體類的熔沸點(diǎn)比較是:原子晶體>離子晶體>分子晶體;除少數(shù)外的金屬晶體,大部分金屬晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體 。
同一晶體類型的物質(zhì)比較熔沸點(diǎn),則需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力 , 作用力越大,那么熔沸點(diǎn)就越高 。
分子晶體的熔沸點(diǎn)受晶體分子中分子間的作用力影響 , 這個(gè)作用力包括了范德華力和氫鍵 。

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