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DDR5內(nèi)存的問(wèn)世，讓更多人開(kāi)始關(guān)注內(nèi)存產(chǎn)品在頻率上的更新?lián)Q代，動(dòng)輒5000MHz起步的高頻設(shè)計(jì) ，確實(shí)在數(shù)值上給人以震撼和驚艷，也似乎成為了很多用戶(hù)選購(gòu)內(nèi)存產(chǎn)品的不二標(biāo)準(zhǔn) 。從而忽視了在內(nèi)存產(chǎn)品中，一個(gè)極為重要的參數(shù)設(shè)計(jì) ，即時(shí)序。

也就是各大內(nèi)存產(chǎn)品上標(biāo)注的“40-40-40-77”的一連串?dāng)?shù)值，有高有低。不同產(chǎn)品的數(shù)值，還會(huì)出現(xiàn)顯著的差異，幾乎一個(gè)產(chǎn)品一個(gè)數(shù)值；面對(duì)這一連串規(guī)律不定的數(shù)值，很少有人會(huì)關(guān)注它們的差異和探究它們到底是啥作用，今天咱們就來(lái)盤(pán)一盤(pán)內(nèi)存時(shí)序。

01 時(shí)序到底是什么？

內(nèi)存時(shí)序，一言以蔽之指的是內(nèi)存在處理各種任務(wù)操作時(shí)遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述，或者更本質(zhì)更白話(huà)一點(diǎn) ，時(shí)序指的是內(nèi)存處理工作和操作時(shí)的具體延遲時(shí)間，從這個(gè)定義上而言，時(shí)序自然是越小越好；
同時(shí) ，影響內(nèi)存延遲，或者說(shuō)描述延遲的時(shí)序種類(lèi)有很多，我們常規(guī)產(chǎn)品上列出的4種，是對(duì)內(nèi)存影響最大，最為顯著的部分。

內(nèi)存時(shí)序
它們分別都有著特定的代號(hào) ，按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS ，這四個(gè)代號(hào)全是縮寫(xiě) ，第一個(gè)CL ，即CAS Latency ，它描述的是內(nèi)存列地址訪(fǎng)問(wèn)的延遲時(shí)間，這也是時(shí)序中最重要的參數(shù)；第二個(gè)tRCD ，即RAS to CAS Delay ，是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間；第三個(gè)tRP ，即RAS Precharge Time ，表示內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間；第四個(gè)tRAS ，即RAS Active Time ，描述的是行地址激活的時(shí)間。

02 時(shí)序是如何影響工作

理解了主要的時(shí)序含義之后，我們還需要明白內(nèi)存和CPU之間的聯(lián)結(jié)原理，才能真正明白主要時(shí)序?qū)τ趦?nèi)存性能的影響。
通常情況下， CPU的工作流程是下達(dá)一個(gè)尋址指令，內(nèi)存會(huì)快速搜索和尋址存在緩存內(nèi)的文件，我們將尋址的過(guò)程想象成在一個(gè)有列有行的圍棋格上。

當(dāng)CPU下達(dá)搜索A文件時(shí) ，內(nèi)存需要要先確定數(shù)據(jù)具體在圍棋格子中的哪一行，那么時(shí)序的第二個(gè)參數(shù)tRCD就代表這個(gè)時(shí)間，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是是內(nèi)存收到行的指令后，需要等待多長(zhǎng)時(shí)間才能訪(fǎng)問(wèn)這一行。值得注意的是，由于每一行中數(shù)據(jù)量十分龐雜，在內(nèi)存第一步工作中無(wú)法準(zhǔn)確定位，只能是預(yù)估，因而還需要第二步才能完成指令。
當(dāng)內(nèi)存確定了A文件在哪一行之后，就需要確認(rèn)數(shù)據(jù)在哪一列，只有當(dāng)行和列全部都確定后，才能鎖定A文件的具體地址；而確定列的等待時(shí)間，便是時(shí)序中CL ，換言之就是內(nèi)存確定行數(shù)之后，還需要多久才能訪(fǎng)問(wèn)具體的列。
至于第三個(gè)參數(shù) ，指的是確認(rèn)了第一行數(shù)值后，再確定另外一行所需要等待的時(shí)間（時(shí)間周期）。
第四個(gè)tRAS部分，則是指整個(gè)內(nèi)存完成命令后的總和，它的數(shù)值約等于前三個(gè)數(shù)值的總和，當(dāng)然時(shí)序越高的情況下，他們的差異越巨大。