1、各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕 。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復(fù)制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形 。
2、良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發(fā)生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料 。
3、加工批量大，控制容易，成本低，對環(huán)境污染少，適用于工業(yè)生產(chǎn) 。
【簡述光刻加工的特點】光刻技術(shù)在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個主要方面 。光復(fù)印工藝是經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上 ?？涛g工藝是利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形 。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復(fù)進(jìn)行 。
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