功耗：一次又一次降低
電子產(chǎn)品要正常工作，肯定要有電 。有電，就需要工作電壓，該電壓是通過金手指從主板上的內(nèi)存插槽獲取的，內(nèi)存電壓的高低，也反映了內(nèi)存工作的實際功耗 。一般而言，內(nèi)存功耗越低，發(fā)熱量也越低，工作也更穩(wěn)定 。DDR內(nèi)存的工作電壓為2.5V，其工作功耗在10W左右；而到了DDR2時代，工作電壓從2.5V降至1.8V；到了DDR3內(nèi)存時代，工作電壓從1.8V降至1.5V，相比DDR2可以節(jié)省30%～40%的功耗 。為此我們也看到，從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存，盡管內(nèi)存帶寬大幅提升，但功耗反而降低，此時內(nèi)存的超頻性、穩(wěn)定性等都得到進(jìn)一步提高 。
制造工藝：不斷提高
從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高的工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低 。譬如DDR內(nèi)存顆粒廣泛采用0.13微米制造工藝，而DDR2顆粒采用了0.09微米制造工藝，DDR3顆粒則采用了全新65nm制造工藝（1微米＝1000納米） 。
總結(jié)
內(nèi)存的知識就講到這里了，總的說來，內(nèi)存主要扮演著CPU數(shù)據(jù)倉庫的角色，所以CPU性能的提升，內(nèi)存的容量和性能都要跟得上，但也不可盲目地把內(nèi)存容量配得過大 。對于大多數(shù)用戶來說2GB DDR2 800的內(nèi)存就足夠了，而偏高端一點的電腦使用總?cè)萘繛?GB的內(nèi)存就差不多了 。
內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的？有什么區(qū)別？
1.SDR兩個缺口，單面84針腳，雙面168針腳，電壓3.3v，內(nèi)存顆粒長方形（已淘汰） 。
2.DDR1（第一代）一個缺口，單面92針腳，雙面184針腳，電壓2.5v，內(nèi)存顆粒長方形工作頻率266，333，400 。
3.DDR2（第二代）一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.8v，內(nèi)存顆粒正方形工作頻率533，667，800 。
4.DDR3（第三代）一個缺口，單面120針腳，雙面240針腳，電壓1.5v，內(nèi)存顆粒正方形工作頻率1066，1333，1800
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