少妇被粗大猛进进出出s小说,在线播放无码后入内射少妇

內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的? 怎么區(qū)分內(nèi)存條是幾代

本文主要和廣大的電腦愛好者分享內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的？希望能夠給大家?guī)砀鄬嵱玫碾娔X知識，首先為大家介紹的是三代內(nèi)存條的全家照（下圖），從上到下分別是DDR3、DDR2、DDR 。大家牢牢記住它們的樣子，因為后面的內(nèi)容會提到這幅圖。
【內(nèi)存條怎樣區(qū)分是幾代的? 怎么區(qū)分內(nèi)存條是幾代】

防呆缺口：位置不同防插錯
圖1紅圈圈起來的就是我們說的防呆缺口，目的是讓我們安裝內(nèi)存時以免插錯。我們從圖1可以看見三代內(nèi)存上都只有一個防呆缺口，大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片，就可以發(fā)現(xiàn)缺口左右兩邊的金屬片數(shù)量是不同的。
比如DDR 內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個（雙面184個），缺口左邊為52個針腳，缺口右邊為40個針腳；DDR2 內(nèi)存單面金手指120個（雙面240個），缺口左邊為64個針腳，缺口右邊為56個針腳；DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個（雙面240個），缺口左邊為72個針腳，缺口右邊為48個針腳。
芯片封裝：濃縮是精華
在不同的內(nèi)存條上，都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒，它就是我們所說的內(nèi)存顆粒。同時我們也注意到，不同規(guī)格的內(nèi)存，內(nèi)存顆粒的外形和體積不太一樣，這是因為內(nèi)存顆?！鞍b”技術的不同導致的。一般來說，DDR內(nèi)存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝）封裝技術，又長又大。而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA（底部球形引腳封裝）封裝技術，與TSOP相比，內(nèi)存顆粒就小巧很多，F(xiàn)BGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優(yōu)勢明顯。
TSOP是內(nèi)存顆粒通過引腳（圖2黃色框）焊接在內(nèi)存PCB上的，引腳由顆粒向四周引出，所以肉眼可以看到顆粒與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點，并且顆粒封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，但焊點和PCB的接觸面積較小，使得DDR內(nèi)存的傳導效果較差，容易受干擾，散熱也不夠理想。

FBGA封裝把DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒做成了正方形（圖3），而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點，因為其柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，所有的觸點就被“包裹”起來了，外面自然看不到。其優(yōu)點是有效地縮短了信號的傳導距離。

速度與容量：成倍提升
前面我們教大家如何計算內(nèi)存帶寬大小，其實我們在選擇內(nèi)存和CPU搭配的時候就是看內(nèi)存帶寬是否大于或者等于CPU的帶寬，這樣才可以滿足CPU的數(shù)據(jù)傳輸要求。
而我們從帶寬公式（帶寬＝位寬×頻率÷8）可以得知，和帶寬關系最緊密的就是頻率。這也是為什么三代內(nèi)存等效頻率一升再升的原因之一，其目的就是為了滿足CPU的帶寬。
不僅速度上有所提升，而且隨著我們應用的提高，我們也需要更大容量的單根內(nèi)存，DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的內(nèi)存，而到了DDR2時代，兩根1GB內(nèi)存就只是標準配置了，內(nèi)存容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今后還會有單根8GB的內(nèi)存出現(xiàn) 。這說明了人們的對內(nèi)存容量的要求在不斷提高。
延遲值：一代比一代高
任何內(nèi)存都有一個CAS延遲值，這就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的時間一樣。一般而言，內(nèi)存的延遲值越小，傳輸速度越快。
從DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存身上看到，雖然它們的傳輸速度越來越快，頻率越來越高，容量也越來越大，但延遲值卻提高了，譬如DDR內(nèi)存的延遲值（第一位數(shù)值大小最重要，普通用戶關注第一位延遲值就可以了）為1.5、2、2.5、3；而到了DDR2時代，延遲值提升到了3、4、5、6；到了DDR3時代，延遲值也繼續(xù)提升到了5、6、7、8或更高。