ddr4內(nèi)存4種頻率，分別是2133、2400、2800、3200，是新一代的內(nèi)存規(guī)格 。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能 。
DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪 。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz 。相比之下，DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz，運(yùn)行電壓一般為1.5V，節(jié)能版也有1.35V 。僅此一點(diǎn)，DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40% 。
【ddr4內(nèi)存幾種頻率】
推薦閱讀
- ppt可以保存哪幾種文件格式
- 內(nèi)存條馬甲和普通的有什么區(qū)別
- oppoa53m一直顯示內(nèi)存不足怎么辦
- iPhone6plus內(nèi)存16g要怎么擴(kuò)大
- 1tb等于多少gb內(nèi)存
- 4通道內(nèi)存和2通道內(nèi)存區(qū)別大嗎
- 微型計(jì)算機(jī)內(nèi)存容量的基本單位是
- 顯卡內(nèi)存有什么用
- p40可以插內(nèi)存卡
- 內(nèi)存插槽兩端的白色卡子的作用是