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眾所周知 ， 目前存儲芯片領域 ， DRAM內存和NAND這兩種 ， 才是大頭 ， 占到了95%以上的份額 ， 當然HBM也被列入DRAM之中 。
而任何電子產品 ， 都離不開DRAM內存和NAND閃存 ， 所以這兩種存儲芯片 ， 也是越來越重要 。
而目前全球的存儲芯片 ， 主要被韓國、美國、日本壟斷 ， 三星、SK海力士、美光、鎧俠這四家 ， 拿走了90%以上的市場 。
而中國作為全球最大的芯片進口 ， 每年進口芯片超3000億平均 ， 其中NAND閃存和DRAM內存進口 ， 就超過1000億美元 。
所以這幾年 ， 中國一直在努力的發展NAND閃存和DRAM內存 。
近日 ， 有美國媒體報道稱 ， 中國DRAM內存 ， 已經取得了巨大的進展 ， 長鑫的DDR5已經量產了 ， 采用的是17.5nm的技術 ， 良率高達80%左右 ， 不輸給國外的大廠了 。
不僅如此 ， 美國媒體還稱 ， 中國的DRAM內存產能提升更是迅速 ， 2022年是長鑫才每月5.7萬片 ， 2024年底時 ， 已經達到了21萬片晶圓每月 ， 而預計到2025年時會達到30萬片 ， 這個產能 ， 會占全球產總能的15% 。
而美國美光目前的DRAM產能也只有36萬片晶圓每月 ， 預計到2026年 ， 中國在DRAM上的產能和市占率就會越過美國 ， 成為僅次于韓國的存在 。
美國媒體甚至還表示稱 ， 目前在中國市場 ， 國產的DRAM內存在低端市場上 ， 已經拿下了50%以的份額 ， 比如DDR4等 ， 未來在DDR5上的份額也會不斷的提升 ， 進而搶走美國、韓國企業的市場 。
對此 ， 不知道大家怎么看？事實上 ， 目前在存儲芯片 ， 美國已經在不斷的進行打壓了 ， 之前就計劃鎖死中國的NAND閃存在128層 ， 鎖死中國的DRAM內存在18nm 。
但如今中國的NAND閃存 ， DRAM內存均突破了美國的封鎖 ， 接下來必然會爆發 。
【美媒：中國DRAM內存芯片，明年將占全球15%市場，后年超過美國】很多人都說 ， 正是因為美國的打壓 ， 才加速了中國的芯片自主化 ， 如今看來還真是這樣 ， 如果沒有美國的打壓 ， 或許我們的芯片產業 ， 真的不會發展這么快 ， 你覺得呢？
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