場效應(yīng)管與MOS管是一回事嗎？
【三極管與場效應(yīng)管,場效應(yīng)管和mos管區(qū)別】
MOS管是場效應(yīng)管的一種，場效應(yīng)管一般分為MOSFET和JFET 。所謂MOSFET是指金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；而JFET是結(jié)型場效應(yīng)晶體管 。目前主要使用MOSFET 。場效應(yīng)管是利用輸入的電壓來控制輸出電流的一種半導(dǎo)體器件，屬于壓控型器件 。下面簡單介紹一下MOSFET和JFET 。場效應(yīng)管之一：MOSFETMOSFET有三個電極，分別為漏極D、源極S和柵極G，按照溝道的材料可以分為NMOS和PMOS，按照導(dǎo)電方式可以分為耗盡型和增強型 。
以NMOS為例，NMOS以P型半導(dǎo)體硅作為襯底，在表面上做了兩個N型區(qū)域，再鋪上一層絕緣層 。兩個N型區(qū)域引出漏極和源極，在絕緣層上引出柵極，其結(jié)構(gòu)如下圖所示 。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，其電路符號如下圖所示 。圖中的二極管叫做體二極管 。場效應(yīng)管之二：JFETJFET是結(jié)型場效應(yīng)管，這里的結(jié)是指PN結(jié)，結(jié)型場效應(yīng)管按照結(jié)構(gòu)分類可以分為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管，在N型半導(dǎo)體的兩側(cè)加入兩個P型半導(dǎo)體，由此形成了兩個PN結(jié)，把兩個P型半導(dǎo)體連接后形成一個電極叫做柵極G 。
場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別是什么？
場效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別 。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET 。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac 。1 什么是場效應(yīng)管這里主要介紹MOSFET 。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端 。
從半導(dǎo)體的構(gòu)成方面可以分為NMOS和PMOS 。這兩種MOS的電路符號如下圖所示：PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS
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