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1，內(nèi)存條3代和4代的區(qū)別DDR2時(shí)代單條內(nèi)存2GB，雙條4GB，對于辦公還是OK的DDR3的機(jī)子單條8/16GB，這種機(jī)子可能與DDR4同等壽命，只有應(yīng)用這種內(nèi)存的平臺(tái)徹底淘汰掉，它才會(huì)走不動(dòng) 。所以換代主要是內(nèi)存頻率的提升，速度的提升遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于容積帶來的體驗(yàn)，不過DDR4是DDR系列從SDRAM脫胎以來，變化最大的一次。在DRAM核心頻率不變的情況下，傳輸速度的提高是通過增加prefetch的位數(shù)來做到的。例如同樣是100MHz的核心頻率，SDRAM一周期取一次，它和內(nèi)存控制器的速度是100M T/s（這里的T是傳輸?shù)囊馑迹籇DR上升沿下降沿各取一次，相當(dāng)于2次prefetch，Bus速度變成200；DDR2變成4n prefetch，Bus speed變成400；DDR3，照此辦理，8n帶來了800MT/S4代以前的內(nèi)存條，低頻漏電率降低功耗降低，工藝簡單可大規(guī)模堆疊是換代的主要改動(dòng)，這DDR外部總線的帶寬可以穩(wěn)定提升，而成本還沒增加，簡直兩全其美。但是到了DDR4，這一套就行不通了。因?yàn)?N的prefetch 已經(jīng)到了性能瓶頸。只得從核心頻率上下手，不在徘徊于100-266HMz，而是直接從200起，直到400Mhz，因此核心頻率得到了應(yīng)有的提高，總線速度才得以提升。那么問題來了DDR5什么時(shí)候可以商用呢？

4代內(nèi)存條和3代的區(qū)別，內(nèi)存條3代和4代的區(qū)別

2，內(nèi)存條3代和4代的區(qū)別DDR2時(shí)代單條內(nèi)存2GB，雙條4GB，對于辦公還是OK的DDR3的機(jī)子單條8/16GB，這種機(jī)子可能與DDR4同等壽命，只有應(yīng)用這種內(nèi)存的平臺(tái)徹底淘汰掉，它才會(huì)走不動(dòng) 。所以換代主要是內(nèi)存頻率的提升，速度的提升遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于容積帶來的體驗(yàn)，不過DDR4是DDR系列從SDRAM脫胎以來，變化最大的一次。在DRAM核心頻率不變的情況下，傳輸速度的提高是通過增加prefetch的位數(shù)來做到的。例如同樣是100MHz的核心頻率，SDRAM一周期取一次，它和內(nèi)存控制器的速度是100M T/s（這里的T是傳輸?shù)囊馑迹?；DDR上升沿下降沿各取一次，相當(dāng)于2次prefetch，Bus速度變成200；DDR2變成4n prefetch，Bus speed變成400；DDR3，照此辦理，8n帶來了800MT/S4代以前的內(nèi)存條，低頻漏電率降低功耗降低，工藝簡單可大規(guī)模堆疊是換代的主要改動(dòng)，這DDR外部總線的帶寬可以穩(wěn)定提升，而成本還沒增加，簡直兩全其美。但是到了DDR4，這一套就行不通了。因?yàn)?N的prefetch?已經(jīng)到了性能瓶頸。只得從核心頻率上下手，不在徘徊于100-266HMz，而是直接從200起，直到400Mhz，因此核心頻率得到了應(yīng)有的提高，總線速度才得以提升。那么問題來了DDR5什么時(shí)候可以商用呢？【4代內(nèi)存條和3代的區(qū)別，內(nèi)存條3代和4代的區(qū)別】

3，三代內(nèi)存條與四代內(nèi)存條究竟有何區(qū)別DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有：1）處理器：每次內(nèi)存升級(jí)換代時(shí)，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺(tái)的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計(jì)，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點(diǎn)一個(gè)是6核升級(jí)8核，另一點(diǎn)是對DDR4的支持。上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會(huì)同時(shí)支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門檻。2）頻率方面，DDR3內(nèi)存起始頻率為800，最高頻率達(dá)到了2133 。DDR4內(nèi)存起始頻率就達(dá)到了2133，量產(chǎn)產(chǎn)品最高頻率達(dá)到了3000，從內(nèi)存頻率來看，DDR4相比DDR3提升很大。3）　DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。4）DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB：上一代DDR3內(nèi)存，最大單挑容量為64GB，實(shí)際能買到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4內(nèi)存，單條容量最大可以達(dá)到128GB，媲美SSD了。5）DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB，而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB 。而電壓方面，DDR4將會(huì)使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低。