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芯片分析問答2025.7.1

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芯片分析問答2025.7.1

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芯片分析問答2025.7.1
Q1

FA分析測DIE上的電容異常（懷疑靜電損傷但未擊穿） ， 有什么好的方法嗎？


A1


斷開線路 ， 單獨把線路拉出來量測 ， 如果有問題就做熱點+FIB 。


Q2


誰有AUSR1這個綠油的TDS嗎 ， 能幫忙分享一下嗎？
A2



Q3


CP針痕扎在了pad邊緣 ， 這種會有品質風險嗎？


A3


需要看鋁墻形貌怎么樣了 ， 鋁墻壞了打線容易出可靠性問題 ， 一般鋁墻沒事情就沒事 ， 鋁墻很容易看的 ， 一般用顯微鏡看就行 。


Q4


圖中紅框的位置發現疑似遷移 ， 但是1這個銅條上了5V ， 2這個位置是0V ， 金屬沉積的話應該是從左邊開始才對 ， 但是照片上貌似遷移是從右到左的 ， 可以幫忙解釋一下這個現象嗎？



A4

看起來不那么像離子遷移、感覺更像燒傷或異物之類的 ， 兩種方法可以觀察：1.把表面鈍化層去除 ， 再拍一次；2.直接FIB XS 。


Q5


在進行BHAST老化板設計的時候 ， 一些使能引腳OE需要拉高還是拉低？


A5


需要disable OE ， 就是不讓IO輸出 ， 如果芯片自己drive high或者low ， 外面PCB上的上下拉就起不到作用了 ， OE一般是active low ， 所以一般上拉 ， disable OE 。


Q6


BGA芯片在可靠性預處理reflow后部分芯片錫球氧化變色了 ， 暗紅色 ， 這種屬于正?，F象嗎？錫球表面打了成分也只有Sn ， C ， O 。


A6


不正常 。


Q7


測試有經驗的幫忙評估下 ， Site一致性差異怎么評估 ， 是否可接受？



A7


MSA或者GRR 。


Q8


晶圓廠inline defect后段的報廢標準比前段低的原因是什么？


A8


可能因為報廢成本更高了 ， 也有可能是認為關鍵制程已經穩定了 ， 后續偏差的風險更低 。


Q9


BHAST目的不就是為了驗證吸濕后是否會因電離腐蝕引起電氣失效嗎？引腳出現發黑測試不通過 ， 不就說明吸濕的電離腐蝕影響到了信號 ， 為什么經過處理以后還可以認為考核是通過的？


A9


一般來講BHAST管腳清潔處理不影響實驗結果的 ， 去除管腳沾污和氧化層 ， 使用過程中管腳面是焊接上的 ， 這部分不影響的 。


Q10




Die在UV膜上的粘度有沒有辦法測？即芯片撿取的難易程度有沒有辦法量化？




A10




Die在膜上的附著力 ， TDS上有的 ， 這個問題膜廠商應該可以回答 。


Q11


車規IC產品必須要做的可靠性項目有哪些？是不是AEC-Q100里有些可靠性測試是不需要做的？



A11


測試群組A：環境壓力加速測試 ， 如室溫、高溫 ， 濕度 ， 溫濕度循環等；
測試群組B：使用壽命模擬測試 ， 室溫、高低溫壽命測試；
測試群組C：封裝組裝整合測試 ， 主要是邦線相關的測試；
測試群組D：芯片晶圓可靠度測試 ， 如電遷移 ， 熱載流子等；
測試群組E：電氣特性確認測試；如ESD ， EMC ， 短路閂鎖等；
測試群組F：瑕疵篩選監控測試 ， 過程平均測試及良率分析；
測試群組G：封裝凹陷整合測試 ， 包括機械沖擊、震動、跌落等測試 。
圖片中上半部分的認證內容：
D組是在晶圓廠進行的驗證內容 ， 這部分內容偏重晶圓生產和工藝驗證 ， 一般會由Fab廠進行驗證 ， 沒有自己晶圓生產能力的芯片公司Fabless不需要關注 。
C組 ， 是和封裝工藝相關的驗證內容 ， 一般由封裝廠進行驗證 ， 沒有自己封裝能力的芯片公司不需要關注 ， 一般具備車規級晶圓和封測能力的代工廠 ， 都具備16949認證和對應的AEC-Q驗證能力 ， 芯片公司要求對方提供相應的結果和報告就可以 。
F組和E組的FG和CHAR內容 ， 是晶圓廠和性能測試都需要關注的 ， 屬于通用標準 ， 更像是統計方法的指導文件 。
圖片下半部分認證內容：A、B、E、G四組是功能、參數、電性能驗證 ， 這部分是芯片產品在封裝后進行的驗證內容 ， 一般由芯片設計公司自行尋求第三方驗證公司進行測試和報告的生成 ， 這部分內容和產品性能、功能、應用強相關 ， 也是芯片公司比較關注的重點 ， 需要注意的是 ， E組同時出現在上下兩個部分 ， 但是包含的驗證內容并不相同 。


Q12




這是哪個計算壽命的加速模型嗎？





A12


電容有時用這個模型 ， 芯片很少用這個模型 ， 這個是電壓和溫度加速組合模型 ， 這個模型使用的前提是電壓加速和溫度加速因子相互獨立、互不影響 ， 這樣兩個加速因子才能直接相乘 ， 類似用于溫濕度加速的艾林模型 ， 至于系數是否選3或2或10 ， 你可以根據壽命測試數據去擬合 ， 電壓、電流和功率等經常用這種逆冪率模型 ， 溫度加速通常用阿倫尼斯或這種指數函數模型 ， 你可以多選一些模型做擬合 ， 看看那個擬合優度更高 。


Q13


芯片封裝后外箱進水 ， 然后怎么處置 ， 會不會影響可靠性？


A13


檢測鋁箔袋及濕度指示卡 ， 鋁箔袋不漏氣 ， 濕度卡沒問題 ， 覺得沒什么問題 ， 不放心過一道濕制程 ， 再烘干重新包裝 。


Q14


ORT一般會安排做ELFR測試嗎？


A14


如果高頻次ORT做ELFR ， 有點費錢 ， 一般是做HTOL不做ELFR 。


Q15


Scan測試有一定比例的IC需要在低于典型電壓下才能pass ， 比如系統電源是0.9V ， 有些IC要在0.8甚至0.75V才能pass ， 大家有遇到過這種情況嗎？


A15


數字后端沒做好 ， 可能setup time預留不夠 ， 也有可能是時鐘出問題了 ， 越低反而能pass ， 時鐘路徑沒有約束好 。


Q16


規范里為什么還要做高溫存儲？HTRB和HTGB不是應該可以覆蓋它嗎？


A16


覆蓋不了的 ， 失效機理不同的 。


來源：季豐電子
【芯片分析問答2025.7.1】

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