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存儲大廠再起飛!

存儲大廠再起飛!

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存儲大廠再起飛!
9月25日 , 存儲大廠SK海力士宣布 , 率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E , 并預計將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品 。 SK海力士指出 , 12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達到全球最高水平 。


而近日 , 除了SK海力士之外 , 美光、三星和鎧俠三大存儲廠商也向外宣布了利好消息 , 其中 , 美光公布了最新亮眼財報;鎧俠獲得1200億日元貸款;三星也宣布正式量產(chǎn)首款1Tb四層單元(QLC)第九代V-NAND產(chǎn)品 。


美光第四財季營收大增93%


當?shù)貢r間9月25日 , 美國存儲大廠美光公布截至2024年8月29日的2024財年第四季度和全年的業(yè)績 。 在人工智能帶來的存儲芯片需求激增推動下 , 美光科技在2024財年第四季度營收取得十多年來最大漲幅 , 同時對下一財季的業(yè)績預測也超出了華爾街的預期 。


財報數(shù)據(jù)顯示 , 截至2024年8月29日 , 美光當季營收同比增長93%至77.5億美元 , 優(yōu)于市場預期的76.6億美元 , 其在上一季度的營收為68.1億美元 , 去年同期為40.1億美元;凈利潤8.87億美元 , 優(yōu)于市場預期9.5億美元 , 去年同期凈虧損14.3億美元;每股收益0.79美元 , 市場預期0.81美元 , 去年同期每股虧損1.31美元 。


圖片來源:美光


美光表示 , 第四財季的收入同比增長93% , 主要原因是強勁的人工智能需求推動了數(shù)據(jù)中心DRAM產(chǎn)品和業(yè)界領(lǐng)先的高帶寬內(nèi)存HBM的強勁增長 。 美光認為 , HBM的整體市場規(guī)模將從自然年2023年的約40億美元成長至2025年的250多億美元 , 而美光也預計在自然年2025年之初 , 加大生產(chǎn)HBM3E 12hi產(chǎn)品 , 全年增加產(chǎn)品出貨量 。


同時 , Micron科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra亦表示 , 在數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤SSD銷售的帶動下 , 美光的NAND收入也創(chuàng)下新高 , 季度收入首次突破10億美元 。


從全年來看 , 美光2024財年全年實現(xiàn)營收251.1億美元 , 而前一年為155.4億美元;凈利潤7.78億美元 , 攤薄后每股收益0.70美元 。 美光預測 , 2025財年第一季度營收將達到87億美元(上下浮動2億美元) , 將同樣超出市場預期的83.2億美元 , 并預計同期毛利率將躍升至月39.5% 。


鎧俠:獲1200億日元貸款


9月20日 , NAND Flash存儲大廠鎧俠控股株式會社 (Kioxia Holdings)宣布 , 該公司及其子公司鎧俠株式會社與三井住友銀行、三菱日聯(lián)銀行和三井住友融資租賃有限公司達成了協(xié)議 。


根據(jù)協(xié)議 , 三家金融機構(gòu)將為鎧俠提供合計1200億日元的貸款 。 鎧俠表示 , 本次融資金額將用于資助特定資本投資 , 包括與該公司在日本四日市和北上工廠的第8代BiCS FLASHTM相關(guān)的投資 。


據(jù)悉 , 鎧俠四日市和北上市工廠是和另一家存儲大廠西數(shù)共同投資建設 。 其中 , 位于日本巖手縣北上市的Fab2(K2)工廠也是當?shù)氐诙襈AND閃存制造廠 。


今年年初 , 鎧俠和西數(shù)聯(lián)合宣布 , 雙方位于四日市和北上市的合資工廠獲得政府高達1500億日元的補貼 , 其中包括生產(chǎn)最新一代3D閃存的工廠 。


7月 , 鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASHTMQLC閃存 , 最高存儲容量可達2Tb 。 鎧俠指出 , 2Tb QLC存儲器的誕生 , 將推動包括人工智能在內(nèi)的多個應用領(lǐng)域的增長;同月 , 北上市工廠Fab 2(K2)正式完工 , 鎧俠計劃于2025年秋季在K2開始進行運營


鎧俠指出 , 公司綜合財務業(yè)績自截至2024年3月31日的財季起已恢復盈利 。 而隨著AI應用和數(shù)據(jù)中心的需求不斷增長 , 鎧俠預計閃存市場在中長期內(nèi)將具有增長潛力 。





三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產(chǎn)


據(jù)官方介紹 , 三星此次量產(chǎn)的QLC V-NAND產(chǎn)品采用了多項突破性技術(shù) , 包括通道孔蝕刻技術(shù)、預設模具(Designed Mold)技術(shù)、預測程序(Predictive Program)技術(shù)和低功耗設計(Low-Power Design)技術(shù) 。


圖片來源:三星


基于上述技術(shù) , 三星QLC第九代V-NAND產(chǎn)品位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%;數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%;寫入性能翻倍 , 數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%;數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降約30%和50% 。


產(chǎn)品應用方面 , 三星計劃 , 將QLC第九代V-NAND的應用范圍 , 從品牌消費類產(chǎn)品開始擴展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦和服務器SSD , 為包括云服務提供商在內(nèi)的客戶提供服務 。


AI應用及數(shù)據(jù)中心推動存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展


從上述三大廠商公布的最新消息來看 , 人工智能AI、數(shù)據(jù)中心等應用均不約而同地被提及 。 而事實上 , 近年來 , 在人工智能浪潮的推動下 , 各大存儲廠商均從中受益 , 這一點從市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢近期發(fā)布的廠商營收排名亦可窺探一二 。


DRAM方面 , 集邦咨詢8月中旬公布的第二季全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營收排名顯示 , 受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長 , 2024年第二季整體DRAM產(chǎn)業(yè)營收達229億美元 , 季增24.8% 。 其中 , 三星受惠于平均銷售單價季增17%至19% , 位元出貨量也小幅增加 , 帶動DRAM營收成長至98.2億美元 , 季增22%;美光營收也較上季增加14.1% , 為45億美元 , 平均銷售單價季增達15%至16% 。


NAND Flash方面 , 集邦咨詢在9月上旬公布的研報顯示 , 由于服務器終端庫存調(diào)整接近尾聲 , 加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求 , 2024年第二季NAND Flash價格持續(xù)上漲 , 平均銷售單價上漲了15% , 總營收達167.96億美元 , 較前一季增長了14.2% 。


其中 , 三星在第二季時積極回應客戶對企業(yè)級存儲產(chǎn)品的需求 。 其第二季營收達62億美元 , 季增長14.8% 。 鎧俠亦因服務器需求略有改善 , 促使其位元出貨量季增12% , 第二季營收達23.26億美元 , 季增27.7%;而美光在當季的NAND Flash營收達到19.81億美元 , 季增15.2% 。 值得一提的是 , 上述三大廠商在當季NAND Flash位元平均銷售單價上漲幅度均達20% 。


此外 , 三星預估 , 其第三季出貨量將優(yōu)于市場整體水平 , 加上Enterprise SSD價格漲幅較高 , 將帶動其第三季營收增長;美光認為 , Enterprise SSD大容量產(chǎn)品的放量帶動其第二季營收增長 , 未來將調(diào)整產(chǎn)品重心 , 第三季Enterprise SSD出貨量預期將持續(xù)增長 。


【存儲大廠再起飛!】集邦咨詢指出 , 第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài) , 并計劃在第三季擴大產(chǎn)能 , 以滿足AI和服務器的強勁需求 。

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