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摩爾定律為什么會(huì)消失,摩爾定律為何會(huì)失效

摩爾定律意味著一個(gè)芯片上可以容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月就會(huì)翻倍 , 性能也會(huì)翻倍 , 價(jià)格不變 。如果芯片上晶體管的密度繼續(xù)增加 , 電路的寬度會(huì)繼續(xù)減小 , 無論是導(dǎo)電區(qū)還是絕緣區(qū)都會(huì)越來越窄 。預(yù)計(jì)在2020年這一年之后 , 隨著光刻機(jī)技術(shù)的提高 , 摩爾定律將被顛覆 , 芯片中可以容納的元件數(shù)量可能在6-8個(gè)月或更短的4-6個(gè)月內(nèi)翻一番 。
打破摩爾定律 , 你認(rèn)為碳基芯片會(huì)取代硅基芯片嗎?

摩爾定律為什么會(huì)消失,摩爾定律為何會(huì)失效


不論是碳基集成電路還是硅基集成電路 , 一般人了解這個(gè)根本沒什么用處 , 即使其了解了一些碳基集成電路和硅基集成電路的知識(shí) , 想跟周圍的朋友們吹牛 , 也沒人對(duì)這類知識(shí)也不感興趣 , 并且掌握這類知識(shí)對(duì)于普通人來說 , 升職加薪毫無用處 。若對(duì)集成電路感興趣 , 建議還是學(xué)一下各種集成電路的應(yīng)用 , 以及如何更好的用集成電路來設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品 。
摩爾定律為何會(huì)失效?是到達(dá)了物理極限還是人類智力極限?
摩爾定律為什么會(huì)消失,摩爾定律為何會(huì)失效


首先 , 摩爾定律只是個(gè)經(jīng)驗(yàn)規(guī)律而已 , 它不是不可突破的 。失效了也就失效了 , 沒什么大不了 。摩爾定律來自于對(duì)歷史數(shù)據(jù)的估算 , 本來也曾經(jīng)修改過兩次 。一開始 , 被定為每12個(gè)月翻一番 , 后來又改成24個(gè)月翻一番 , 最后才是我們熟知的那個(gè)18個(gè)月版本 。在那之后 , 半導(dǎo)體行業(yè)就盡量達(dá)到這個(gè)目標(biāo) , 以這個(gè)規(guī)律來指導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展 。
至于失效 , 也主要是因?yàn)槲锢順O限 。如果要在芯片上繼續(xù)增加晶體管密度的話 , 線路的寬度會(huì)繼續(xù)縮減 , 導(dǎo)電區(qū)域與絕緣區(qū)域都會(huì)變得越來越窄 。在窄到一定程度的時(shí)候 , 會(huì)顯示出較強(qiáng)的量子特征 , 例如量子隧穿 。在這種時(shí)候 , 電子可能會(huì)越過絕緣體而出現(xiàn)在另一側(cè)導(dǎo)體中 , 讓導(dǎo)體和絕緣體的區(qū)別不那么明顯 。于是漏電現(xiàn)象和發(fā)熱現(xiàn)象會(huì)變得很嚴(yán)重 。
芯片已發(fā)展到2nm , 摩爾定律會(huì)失效嗎?芯片技術(shù)無法突破了嗎?
2nm , 2納米 , 相當(dāng)于2乘10負(fù)9次方米 。2nm芯片是指光刻機(jī)每次曝光時(shí)留下介質(zhì)層的間距 , 不是指整個(gè)芯片大小只有2nm 。例如如果用7nm的光刻機(jī) , 要實(shí)現(xiàn)2nm的芯片 , 需要最少曝光4次 。摩爾定律是指當(dāng)價(jià)格不變時(shí) , 集成電路上可容納的元器件的數(shù)目 , 約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍 , 性能也將提升一倍 。換言之 , 每一美元所能買到的電腦性能 , 將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上 。
這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度 。盡管這種趨勢(shì)已經(jīng)持續(xù)了超過半個(gè)世紀(jì) , 摩爾定律仍應(yīng)該被認(rèn)為只是觀測(cè)或推測(cè) , 而不是一個(gè)物理或自然的法則 。預(yù)計(jì)到2020年今年之后 , 隨著光刻機(jī)技術(shù)的提高 , 摩爾定律將被顛覆 , 也許6-8個(gè)月或者更短4-6個(gè)月 , 芯片可容納的元器件的數(shù)目就會(huì)翻一倍 。從理論上說 , 可以做到1nm的芯片或者更小 , 但是成本會(huì)成倍增加 。
摩爾定律說硅基芯片的物理極限是7nm , 為什么臺(tái)積電還能做出5nm的芯片?
摩爾定律指的是在價(jià)格不變的情況下 , 芯片上可容納晶體管數(shù)目 , 約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍 , 性能也將提升一倍 。從當(dāng)前芯片制造來看 , 要實(shí)現(xiàn)摩爾定律 , 芯片制造工藝必須不斷提升 。工藝節(jié)點(diǎn)從90nm65nm40nm28nm16nm到現(xiàn)在的7nm , 芯片廠家不遺余力地減小晶體管柵極寬度來達(dá)到工藝的升級(jí) , 但到了7nm之后 , 晶體管的漏電問題越來越嚴(yán)重 , 單純靠減少晶體管柵極寬度的方法已經(jīng)無法提升芯片制造工藝 。

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