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EUV光刻機(jī)光源實(shí)現(xiàn)重大突破，我國(guó)掌握 7nm關(guān)鍵技術(shù)

華為手機(jī)行業(yè)

EUV光刻機(jī)光源實(shí)現(xiàn)重大突破，我國(guó)掌握 7nm關(guān)鍵技術(shù)

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EUV光刻機(jī)光源實(shí)現(xiàn)重大突破，我國(guó)掌握 7nm關(guān)鍵技術(shù)

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前段時(shí)間工信部發(fā)布的國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)引起了市場(chǎng)的一片興奮
從公布的內(nèi)容來(lái)看 ， 氟化氬（65納米分辨率）套刻小于等于8納米 ， 這意味著經(jīng)過(guò)多種曝光之后 ， 從理論上來(lái)說(shuō) ， 國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)可以用于生產(chǎn)8納米以下的芯片 。



但因?yàn)榱悸实膯?wèn)題 ， 想要生產(chǎn)7納米納米芯片其成本肯定很高 ， 并不具備量產(chǎn)的意義 。 按照套刻跟量產(chǎn)1:3的比例來(lái)推算 ， 這款國(guó)產(chǎn)DUV光刻機(jī)具備28納米量產(chǎn)的能力 ， 這是一個(gè)很大的進(jìn)步 。
但相比目前國(guó)際最先進(jìn)的芯片工藝而言 ， 這個(gè)工藝還是有點(diǎn)低了 ， 畢竟目前包括臺(tái)積電在內(nèi)已經(jīng)能夠生產(chǎn)2納米的芯片 ， 而他們生產(chǎn)這些高端芯片所使用的光刻機(jī)就是荷蘭ASML提供的EUV光刻機(jī) 。
這說(shuō)明目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)跟國(guó)際先進(jìn)光刻機(jī)差距還是比較大的 ， 代差至少達(dá)到5年以上 。
不過(guò)好消息是 ， 目前我國(guó)在EUV光刻機(jī)關(guān)鍵技術(shù)上同樣也取得突破了 。
前幾天國(guó)內(nèi)光刻機(jī)制造商上海微電子就公布了一系列專利 ， 這里面有一項(xiàng)專利非常讓人振奮 。
9月10日 ， 中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局披露了一項(xiàng)名為“極紫外線輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的發(fā)明專利 ， 即申請(qǐng)人為上海微電子 。

這說(shuō)明目前上海微電子已掌控了極紫外線發(fā)生裝置的相關(guān)核心技術(shù) 。
極紫外線是制造EUV光刻機(jī)的光源 ， 是制造EUV光刻機(jī)最核心的技術(shù)之一 ， 目前全球真正能夠生產(chǎn)這種極紫外線發(fā)生裝置的國(guó)家寥寥無(wú)幾 ， 至少具備量產(chǎn)實(shí)力的只有美國(guó)的cymer一家企業(yè) ， 后來(lái)這家企業(yè)也被荷蘭都ASML給收購(gòu)了 。
對(duì)于這種關(guān)鍵技術(shù) ， 美國(guó)是不允許出口到其他國(guó)家的 ， 即便我們有錢 ， 他們也不愿意出口到我國(guó) ， 所以我們只能自力更生自主研發(fā) 。
大家原以為我國(guó)要攻克極紫外線發(fā)生裝置這個(gè)核心技術(shù)需要幾年的時(shí)間 ， 沒(méi)想到上海微電子竟然已經(jīng)掌握了相關(guān)的核心技術(shù) 。
從他們公布的專利來(lái)看 ， 他們發(fā)明的極紫外線輻射發(fā)生器（光源）包括腔體 ， 靶材產(chǎn)生器 ， 雷射產(chǎn)生器 ， 收集鏡 ， 電極板 ， 氣控部件等關(guān)鍵部件 。
這說(shuō)明我國(guó)在EUV光刻機(jī)研發(fā)方面已經(jīng)取得了關(guān)鍵性的突破 ， 這將為EUV光刻機(jī)的整機(jī)研發(fā)提供重要的技術(shù)支撐 。
當(dāng)然 ， 除了這些核心技術(shù)之外 ， 我國(guó)在其他光刻機(jī)領(lǐng)域同樣也實(shí)現(xiàn)了很多技術(shù)突破 。
前幾天工信部公布的內(nèi)容除了DUV光刻機(jī)之外 ， 實(shí)際上包括濕法清洗機(jī)、氧化爐、涂膠顯影機(jī)、高低能離子注入機(jī)、等離子干法刻蝕機(jī)、化學(xué)物理氣象沉積裝備等關(guān)鍵領(lǐng)域都有了重大技術(shù)突破 。



這說(shuō)明我國(guó)在高端光刻機(jī)的產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)力越來(lái)越強(qiáng)了 ， 很多核心技術(shù)都在不斷被突破 。
目前這些核心環(huán)節(jié)突破了 ， 最核心的EUV光源技術(shù)也突破了 ， 而之前清華大學(xué)已經(jīng)攻克了光刻機(jī)雙工作臺(tái)關(guān)鍵技術(shù) 。
這意味著EUV光刻機(jī)三大核心技術(shù)當(dāng)中 ， 目前就只剩下物鏡 。
至于目前我國(guó)投影物鏡技術(shù)達(dá)到了什么程度？我們沒(méi)有看到相關(guān)的細(xì)節(jié) ， 因?yàn)檫@個(gè)技術(shù)太關(guān)鍵了 ， 一般都不會(huì)對(duì)外透露 ， 但可以肯定的是 ， 目前我國(guó)在光影物鏡方面其實(shí)已經(jīng)有很多技術(shù)突破 ， 比如前兩年長(zhǎng)春光機(jī)所就實(shí)現(xiàn)了一些技術(shù)突破 ， 在這我們不具體詳談了 。

整體來(lái)說(shuō) ， 目前我國(guó)EUV光刻機(jī)各個(gè)核心環(huán)節(jié)的技術(shù)都在不斷的進(jìn)步當(dāng)中 ， 雖然短期內(nèi)無(wú)法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) ， 但隨著技術(shù)的不斷積累和突破 ， 我相信5~10年之內(nèi) ， 我國(guó)EUV光刻機(jī)遲早會(huì)突破的 。
【EUV光刻機(jī)光源實(shí)現(xiàn)重大突破，我國(guó)掌握 7nm關(guān)鍵技術(shù)】一旦突破了EUV光刻機(jī)技術(shù) ， 這意味著我國(guó)就能夠獨(dú)立自主生產(chǎn)7納米以下的芯片 ， 甚至5納米3納米的芯片 ， 在這我們拭目以待 。

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